[发明专利]全角度发光二极管在审
| 申请号： | 201611221689.6 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242492A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京澳特利光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光芯片 基板 发光二极管 电极 硅胶 柱形 发光 封装结构 设计成柱 引线连接 配套的 | ||
【权利要求书】：
1.全角度发光二极管，包括基板、电极、引线、发光芯片和硅胶，其特征在于：所述的电极在基板上，所述的引线连接在发光芯片和电极之间，所述的发光芯片在基板上，靠近中心的位置，所述的硅胶在基板上，所述的发光芯片在硅胶内，其特征还在于，所述的发光芯片为柱形。
2.根据权利要求1所述的全角度发光二极管，其特征在于：所述的发光芯片的柱形为圆柱形、棱柱形。
3.根据权利要求1所述的全角度发光二极管，其特征在于：所述的发光芯片的正负电极在芯片的同一端。
4.根据权利要求3所述的全角度发光二极管，其特征在于：所述的发光芯片的长度至少为3mm。
5.根据权利要求4所述的全角度发光二极管，其特征在于：所述的发光芯片由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成。
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