[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

技术领域

本揭示实施例关于一种半导体装置的制造方法，且特别是关于导电层位于源极/漏极区上的半导体的制造方法。

背景技术

随着半导体产业引进了具有更高效能及更强大功能性的新一代集成电路(IC)，目前已经采用了多层金属布线结构设置于下层电子装置例如晶体管的上方。为了满足更高速以及良好可靠性的需求，已经开发了形成金属线的先进的方法及其结构。

发明内容

根据本揭示实施例的一态样，一种制造半导体装置的方法，该方法包含：先形成一第一栅极结构及一第二栅极结构于一基板上，其中该第一栅极结构包含一第一栅电极，一第一覆盖绝缘层设置于该第一栅电极上，以及一第一侧壁间隔物设置于该第一栅电极以及该第一覆盖绝缘层的侧表面上，该第二栅极结构包含一第二栅电极，一第二覆盖绝缘层设置于该第二栅电极上，以及一第二侧壁间隔物设置于该第二栅电极以及该第二覆盖绝缘层的侧表面上；接着，形成一第一源极/漏极区于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的一区域内；形成一第一绝缘层于该第一源极/漏极区上以及该第一栅极结构及该第二栅极结构之间；形成该第一绝缘层后，使该第一及第二覆盖绝缘层凹陷，以及使该第一及第二侧壁间隔物凹陷，从而形成一第一隔间于该凹陷的第一覆盖绝缘层及该凹陷的第一侧壁间隔物上，以及一第二隔间于该凹陷的第二覆盖绝缘层及该凹陷的第二侧壁间隔物上；最后形成一第一保护层于该第一隔间中，及一第二保护层于该第二隔间中，其中该第一及第二保护层包含从以过渡金属氮化物为基底的材料及非晶硅的组成中选择至少一种。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭示的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1A绘示了根据本揭示一实施例于各阶段的制造半导体装置的平面示意图(俯视图)；

图1B绘示了图1A的沿X1-X1线的剖面示意图；

图1C绘示了栅极结构放大图；

图1D绘示了根据本揭示一实施例于各阶段的制造半导体装置的透视示意图；

图2至图8绘示了对应图1A的沿X1-X1线的于各阶段制造半导体装置的剖面示意图；

图9至图10绘示了根据本揭示另一实施例的剖面示意图；

图11至图12绘示了根据本揭示另一实施例的剖面示意图。

具体实施方式

应理解，以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施本揭示的不同特征。下文描述组件及排列的特定实施例或实例以简化本揭示。当然，此等实例仅为示例性且并不欲为限制性。举例而言，元件的尺寸并不受限于所揭示的范围或值，但可取决于制程条件及/或装置的所欲特性。此外，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间插入形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。为了简明性及清晰性，可以不同尺度任意绘制各特征。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示的一元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可同样解读本文所使用的空间相对性描述词。另外，术语“由……制成”可意谓“包含”或“由……组成”中任一者。

图1A及图1B显示了根据本揭示的一实施例，其于半导体装置的制造程序中的一阶段示意图。图1A绘示一平面(上视)图，而图1B绘示图1A中沿线X1-X1的剖面图。