[发明专利]多层级芯片互连

权利要求书

1.一种多层集成电路，包括：

第一导电层，包括第一材料；

第一接触端子，耦合至所述第一导电层；

第二导电层，设置在所述第一导电层上方，所述第二导电层包括第二材料；

第二接触端子，耦合至所述第二导电层；

至少一个开口，位于所述第二导电层中，所述第一接触端子经由所述第二导电层中的所述开口可从外部接入，使得所述第一接触端子和所述第二接触端子可同时从外部接入；以及

保护性覆盖物，包封所述第一导电层和所述第二导电层，并且包括位于所述保护性覆盖物中的一个或多个开口，用于电接入至所述第一接触端子和所述第二接触端子中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中所述保护性覆盖物包括钝化层。

3.根据权利要求1所述的多层集成电路，还包括：第三导电层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层下方，并且还包括位于所述第一导电层和所述第二导电层中的一个或多个开口，用于利用接触端子电接入至所述第三导电层处的至少一个接触件。

4.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一接触端子和所述第二接触端子中的至少一个接触端子突出穿过所述保护性覆盖物中的开口，并且被布置为电耦合至所述集成电路外部的电路。

5.根据权利要求4所述的多层集成电路，其中，所述第一接触端子包括第一材料集合并且具有与所述集成电路外部的所述电路兼容的封装几何形状，并且所述第二接触端子被布置为同时电耦合至所述集成电路外部的第二电路并且包括第二材料集合并具有与所述集成电路外部的所述第二电路兼容的几何形状。

6.根据权利要求1所述的多层集成电路，还包括：绝缘层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层的至少一部分之间。

7.根据权利要求1所述的多层集成电路，还包括：一个或多个过孔，耦合至所述第一导电层和/或所述第二导电层并且延伸至所述集成电路的下部层。

8.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一接触端子突出穿过所述第二导电层中的所述开口而不与所述第二导电层接触。

9.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一材料与所述第二材料相同。

10.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一材料不同于所述第二材料。

11.根据权利要求10所述的多层集成电路，其中，所述第一导电层包括第一金属的金属化层，并且所述第二导电层包括第二不同金属的金属化层。

12.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一接触端子和所述第二接触端子包括不同的材料，所述第一接触端子包括与所述第一导电层的所述第一材料兼容的材料，并且所述第二接触端子包括与所述第二导电层的所述第二材料兼容的材料。

13.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一导电层的一部分电耦合至所述第二导电层的一部分。

14.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第一接触端子包括倒装芯片凸块接触件。

15.根据权利要求1所述的多层集成电路，其中，所述第二接触端子包括晶圆测试点。