[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件。

背景技术

现有技术中，作为半导体器件，有专利文献1中记载的半导体器件。该半导体器件包括：在上表面具有杂质扩散层的半导体部；以与杂质扩散层接触的方式设置在半导体部上的电极部；覆盖电极部的SiN膜；和设置在SiN膜上的聚酰亚胺树脂膜。SiN膜具有高耐湿性，发挥防止来自封装的浸水和杂质污染等的功能。

上述半导体芯片中，设置有接触孔，该接触孔包括：从SiN膜的上表面延伸至电极部的上表面的第一贯通孔；和与该第一贯通孔连接，从聚酰亚胺树脂膜的上表面延伸至SiN膜的上表面的第二贯通孔，在该接触孔形成有配线层。另外，接触孔形成为第一贯通孔的相对的侧面间的距离比第二贯通孔的相对的侧面间的距离小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-252050号公报

发明要解决的问题

在通过引线接合来安装上述半导体芯片的情况下，金属珠经由第一贯通孔与电极部连接。

但是，由于SiN膜是透明的，所以第一贯通孔的开口图案的识别性差，连接金属珠的位置容易偏离。其结果是，SiN膜因金属珠碰撞产生的凹痕而损伤，SiN膜的耐湿性有可能降低。

发明内容

于是，本发明的目的在于提供一种能够防止引线接合时的透明膜的耐湿性降低的半导体芯片。

用于解决问题的技术手段

为了解决上述问题，本发明的半导体芯片的特征在于，包括：半导体部；设置在上述半导体部上的电极部；设置在上述半导体部上，具有第一贯通孔的透明保护膜；和设置在上述透明保护膜上，具有第二贯通孔的不透明保护膜，上述第一贯通孔以贯通上述透明保护膜的上表面和下表面的方式设置，上述第二贯通孔以贯通上述不透明保护膜的上表面和下表面，且上述第二贯通孔的开口边缘在俯视时位于上述第一贯通孔开口边缘的内侧的方式设置，上述电极部以至少一部分从上述第二贯通孔露出的方式设置。

另外，一个实施方式的半导体芯片中，上述第一贯通孔的开口边缘与上述第二贯通孔的开口边缘之间的距离至少为2.5μm。

另外，一个实施方式的半导体芯片中，上述透明保护膜为SiN膜。

另外，一个实施方式的半导体芯片中，上述不透明保护膜为聚酰亚胺树脂膜。

发明的效果

根据本发明，从不透明保护膜的上表面向透明保护膜延伸的第二贯通孔的开口边缘，在俯视时位于比从透明保护膜的上表面向半导体部延伸的第一贯通孔的开口边缘靠内侧的位置，且电极部的一部分从第二贯通孔露出。即，在通过引线接合来安装半导体器件的情况下，金属珠经由开口图案的识别性比透明保护膜的第一贯通孔高的不透明保护膜的第二贯通孔与电极部连接。因此，连接金属珠的位置难以从目标的位置偏离，所以能够防止引线接合时因金属珠的位置偏离而损伤透明保护膜使耐湿性降低的情况。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体器件的截面示意图。

图2是图1的半导体器件的电极部部分的俯视示意图。

图3是用于说明图1的半导体器件的引线接合结构的图。

图4是接着图3用于说明图1的半导体器件的引线接合结构的图。

图5是表示比较例的的半导体器件的截面示意图。

图6是图5的半导体器件的电极部部分的俯视示意图。

图7是用于说明图5的半导体器件的引线接合结构的图。

图8是接着图7用于说明图5的半导体器件的引线接合结构的图。

图9是表示本发明的第二实施方式的半导体器件的截面示意图。

图10是图9的半导体器件的电极部部分的俯视示意图。

图11是表示本发明的第三实施方式的半导体器件的截面示意图。

图12是图11的半导体器件的电极部部分的俯视示意图。

附图标记说明

10 半导体部，

11 杂质扩散层，

20 氧化膜，

21 电极形成部，

30、130 电极部，

31 主体部，

32 凸缘部，

33 接合区域，

40、140 透明保护膜(SiN膜)，

41、141 第一贯通孔，

50、150 不透明保护膜(聚酰亚胺树脂膜)，

51 第二贯通孔，

70 Au珠，

100、200、300 半导体芯片，

34 比较例的半导体芯片的接合区域，