[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201611165862.5 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106887416A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 泽井敬一;松本浩司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
半导体部;
设置在所述半导体部上的电极部;
设置在所述半导体部上,具有第一贯通孔的透明保护膜;和
设置在所述透明保护膜上,具有第二贯通孔的不透明保护膜,
所述第一贯通孔以贯通所述透明保护膜的上表面和下表面的方式设置,
所述第二贯通孔以贯通所述不透明保护膜的上表面和下表面,且所述第二贯通孔的开口边缘在俯视时位于所述第一贯通孔的开口边缘的内侧的方式设置,
所述电极部以至少一部分从所述第二贯通孔露出的方式设置。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述第一贯通孔的开口边缘与所述第二贯通孔的开口边缘之间的距离至少为2.5μm。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件,其特征在于:
所述透明保护膜为SiN膜。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件,其特征在于:
所述不透明保护膜为聚酰亚胺树脂膜。
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