[发明专利]晶圆级金属屏蔽封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611161114.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231743A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶灿鍊;沈宽典;庞思全;王惟平 | 申请（专利权）人： | 矽格股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电结构 芯片单元 金属屏蔽 金属屏蔽层 封装结构 电性连接芯片 电磁干扰 电路导通 电性连接 接地结构 制造过程 晶圆级 邻近侧 前表面 上基板 重布线 侧边 基板 凸块 种晶 连通 背面 切割 制造 | ||
1.一种晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，包括：
一基板，具有至少一接地部；
至少一芯片单元，设置于该基板上方；
多个第一导电结构，设置于该基板上，且位于该芯片单元的一前表面，该芯片单元通过该多个第一导电结构电性连接于该基板；
至少一第二导电结构，设置于该基板上，且位于该芯片单元的该前表面并邻近该芯片单元的一侧表面，该第二导电结构与该基板上的该接地部形成电性连接；
一封装胶层，覆盖该芯片单元的一背表面及所有侧表面；及
一金属屏蔽层，覆盖该封装胶层且延伸至该第二导电结构，以电性连接于该基板上的该接地部。
2.根据权利要求1所述的晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，该基板为印刷电路板或硅晶圆基板。
3.根据权利要求1所述的晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，该金属屏蔽层为一金属溅镀层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，该第一导电结构为焊球、焊料凸块或焊料凸柱。
5.根据权利要求1所述的晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，该第二导电结构为焊球、焊料凸块或焊料凸柱。
6.根据权利要求1所述的晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，该芯片单元为扇入结构或扇出结构。
7.一种晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，该基板设置有至少一接地部；
提供多个芯片单元，每一芯片单元的一前表面设置有多个第一导电结构及至少一第二导电结构，且该第二导电结构邻近该每一芯片单元的一侧表面；
覆盖一封装单元于该多个芯片单元；
切割该封装单元为多个封装胶层，使每一封装胶层覆盖该每一芯片单元的一背表面及所有侧表面；
覆盖一金属屏蔽层于该每一封装胶层，使该金属屏蔽层延伸至该第二导电结构；及
设置该多个芯片单元于该基板上方，使该每一芯片单元通过该多个第一导电结构电性连接于该基板，并使该金属屏蔽层通过该第二导电结构电性连接于该基板上的该接地部。
8.根据权利要求7所述的晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，该基板为印刷电路板或硅晶圆基板。
9.根据权利要求7所述的晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，该金属屏蔽层为一金属溅镀层。
10.根据权利要求7所述的晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，该第一导电结构为焊球、焊料凸块或焊料凸柱。
11.根据权利要求7所述的晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，该第二导电结构为焊球、焊料凸块或焊料凸柱。
12.根据权利要求7所述的晶圆级金属屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，该芯片单元为扇入结构或扇出结构。
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