[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611154390.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231766B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡建祥;王鷁奇;赵伟立;杨晓芳;贾敬国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；
执行刻蚀，以在所述NMOS区域的源漏区中形成沟槽；
沉积半导体材料层，以填充所述NMOS区域的所述沟槽，并覆盖所述PMOS区域的源漏区；
将所述半导体材料层转化为具有应力的接触孔刻蚀停止层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接触孔刻蚀停止层为金属硅化物层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成所述金属硅化物层的方法包括：
沉积覆盖所述半导体材料层的金属层；
执行热退火，以将所述半导体材料层转化为金属硅化物层；
去除未反应的金属层。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物层为CoSi层。
5.根据权利要求1至4之一所述的制造方法，其特征在于，所述应力为拉应力。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体材料层为多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀方法为各向异性刻蚀。
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-7之一所述方法制备得到，所述半导体器件包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；以及
形成于所述NMOS区域源漏区中的沟槽，所述沟槽中填充有具有应力的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层还覆盖所述PMOS区域的源漏区。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述接触孔刻蚀停止层为金属硅化物层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层为CoSi层。
11.根据权利要求8至10之一所述的半导体器件，其特征在于，所述应力为拉应力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
