[发明专利]用于在外延生长室中使用的基座及保持晶圆的热传导块在审
| 申请号： | 201611153337.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107034516A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 洪世玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/10;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 外延 生长 使用 基座 保持 热传导 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于在外延生长室中使用的基座，所述基座包括：
热传导主体，所述热传导主体配置成保持衬底，所述热传导主体包括：
第一区域，所述第一区域从所述热传导主体的外部边缘朝向所述热传导主体的中央向内延伸第一宽度，所述第一区域具有第一高度；
第二区域，所述第二区域从所述第一区域的内部边缘朝向所述热传导主体的所述中央向内延伸第二宽度，所述第二区域具有比所述第一高度低的第二高度；以及
第三区域，所述第三区域从所述第二区域的内部边缘延伸至所述热传导主体的所述中央，
其中，所述第二区域包括平行于所述衬底的底部表面的平坦表面，并且其中，所述衬底的所述底部表面的一部分安置在所述第二区域的所述平坦表面上。
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