[发明专利]包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法

说明书

一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。

技术领域

本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。

背景技术

在集成电路中，诸如片上系统(SOC)管芯和中央处理单元(CPU)的一些电路组件对输入/输出(IO)和功率消耗具有高要求。例如，CPU可包括多个核心，并且需要消耗相当多的功率。另一方面，对提供的功率的要求也高。例如，电源电压需要非常稳定。因此，多个电压调节器可被连接至CPU芯片和SOC管芯，以提供功率。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附至载体上方，所述管芯附接膜位于所述电压调节器管芯中并且环绕所述电压调节器管芯的金属柱；将所述电压调节器管芯密封在密封材料中；平坦化所述密封材料，其中，去除所述电压调节器管芯的背部以暴露位于所述电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔；在所述电压调节器管芯和所述密封材料上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一再分布线，其中，所述第一再分布线的部分电连接至所述通孔；用介电材料替代所述管芯附接膜；形成第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层位于所述电压调节器管芯的相对两侧上；在所述第二介电层中形成第二再分布线；以及将额外的器件管芯接合至所述第二再分布线，并且将所述电压调节器管芯电连接至所述额外的器件管芯。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成基底层；在所述基底层上方形成导电柱；将电压调节器管芯粘附至所述基底层，其中，所述电压调节器管芯包括管芯附接膜，并且所述管芯附接膜粘附至所述基底层；将所述电压调节器管芯和所述导电柱密封在密封材料中；平坦化所述密封材料，直到暴露出所述电压调节器管芯和所述导电柱；在所述电压调节器管芯和所述密封材料上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一再分布线，其中，所述第一再分布线的部分电连接至所述导电柱；用介电材料替代所述管芯附接膜；形成第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层位于所述电压调节器管芯的相对两侧上；在所述第二介电层中形成第二再分布线；以及将额外的器件管芯接合至所述第二再分布线。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种封装件，包括：电压调节器管芯，包括：半导体衬底；通孔，穿透所述半导体衬底；以及金属柱，位于所述电压调节器管芯的顶面处；第一密封材料，将所述电压调节器管芯密封在所述密封材料中；多个第一再分布线，位于所述电压调节器管芯和所述第一密封材料上方，其中，多个所述第一再分布线的部分与所述通孔和所述金属柱物理接触；器件管芯，接合至所述多个第一再分布线；以及多个第二再分布线，位于所述第一密封材料的下面，其中，所述多个第二再分布线电连接至所述多个第一再分布线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图20示出根据一些实施例的形成包括电压调节器的封装件的中间阶段的截面图。

图21至图30示出根据一些实施例的形成包括电压调节器的封装件的中间阶段的截面图。

图31示出根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式