[发明专利]包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法有效
申请号: | 201611150397.8 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN107180795B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 余振华;张智援;王垂堂;谢政宪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/50;H01L25/065;H01L23/48 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电压 调节器 集成 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附至载体上方,所述管芯附接膜位于所述电压调节器管芯中并且环绕所述电压调节器管芯的金属柱;
将所述电压调节器管芯密封在密封材料中;
平坦化所述密封材料,其中,去除所述电压调节器管芯的背部以暴露位于所述电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔;
在所述电压调节器管芯和所述密封材料上方形成第一介电层;
在所述第一介电层中形成第一再分布线,其中,所述第一再分布线的部分电连接至所述通孔并且与所述通孔直接接触;
用介电材料替代所述管芯附接膜;
形成第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层位于所述电压调节器管芯的相对两侧上;
在所述第二介电层中形成第二再分布线;以及
将额外的器件管芯接合至所述第二再分布线,并且将所述电压调节器管芯电连接至所述额外的器件管芯;
其中,将所述通孔与所述电压调节器管芯中的所有电路电断开。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述载体上方形成导电柱,其中,所述导电柱被所述密封材料密封,并且所述导电柱将所述第一再分布线电互连至所述第二再分布线。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,替代所述管芯附接膜包括:
蚀刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽;
在所述凹槽内填充所述介电材料;以及
实施额外的平坦化以去除所述介电材料的多余部分,直到暴露所述电压调节器管芯中的金属柱。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:将所述额外的器件管芯密封在额外的密封材料中。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,当所述电压调节器管芯粘附至所述载体时,所述管芯附接膜环绕所述电压调节器管芯的金属柱,并且所述金属柱的表面与所述管芯附接膜的朝向所述载体的表面共面。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,用所述介电材料替代所述管芯附接膜包括:
蚀刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽;
在所述电压调节器管芯中从金属焊盘形成所述金属柱;
在所述凹槽内填充所述介电材料;以及
实施额外的平坦化以去除所述介电材料的多余部分,直到暴露所述金属柱。
7.一种形成封装件的方法,包括:
在载体上方形成基底层;
在所述基底层上方形成导电柱;
将电压调节器管芯粘附至所述基底层,其中,所述电压调节器管芯包括管芯附接膜,并且所述管芯附接膜粘附至所述基底层;
将所述电压调节器管芯和所述导电柱密封在密封材料中;
平坦化所述密封材料,直到暴露出所述电压调节器管芯和所述导电柱;
在所述电压调节器管芯和所述密封材料上方形成第一介电层;
在所述第一介电层中形成第一再分布线,其中,所述第一再分布线的部分电连接至所述导电柱并且与所述电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔直接接触;
用介电材料替代所述管芯附接膜;
形成第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层位于所述电压调节器管芯的相对两侧上;
在所述第二介电层中形成第二再分布线;以及
将额外的器件管芯接合至所述第二再分布线;
其中,将所述通孔与所述电压调节器管芯中的所有有源电路电断开。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,当平坦化所述密封材料时,去除所述电压调节器管芯的背部以暴露所述电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔,并且其中,所述通孔将所述第一再分布线电连接至所述第二再分布线。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,替代所述管芯附接膜包括:
蚀刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽;
在所述凹槽内填充所述介电材料;以及
实施额外的平坦化以去除所述介电材料的多余部分,直到暴露所述电压调节器管芯中的金属柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造