[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第N金属层；

平面底部阻挡层，位于所述第N金属层上方并与所述第N金属层接触；

数据存储层，位于所述平面底部阻挡层上方；

电极，位于所述数据存储层上方；

间隔件层，围绕所述电极；

第N+1金属层，位于所述电极上方；

保护层，衬垫所述间隔件层和所述数据存储层的侧壁，所述保护层还横向延伸而将围绕所述第N金属层的介电层与围绕所述电极和所述数据存储层的介电层间隔开；

其中，N是正整数，并且所述第N金属层包括铜。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述数据存储层包括：高k介电层，并且在所述平面底部阻挡层和所述数据存储层之间设置覆盖层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括位于所述数据存储层上方的平面上部阻挡件。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极具有与所述第N+1金属层连接的波纹表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，所述间隔件层为氮化物层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，所述保护层还环绕所述第N+1金属层的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极的宽度在20纳米至40纳米的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极设置于所述数据存储层上方的中心处。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极与第N+1金属通孔接触。

10.一种存储器结构，包括：

下部金属层，包括铜；

平面底部阻挡层，位于所述下部金属层上方并与所述下部金属层接触；

平面存储器单元，位于所述平面底部阻挡层上方，所述平面存储器单元包括：

覆盖层，接近所述下部金属层；和

高k介电层，位于所述覆盖层上方；

电极，位于所述高k介电层上方；

间隔件层，围绕所述电极；

上部金属层，电连接至所述平面存储器单元；以及

保护层，衬垫所述间隔件层和所述平面存储器单元的侧壁，所述保护层还横向延伸而将围绕所述下部金属层的介电层与围绕所述电极和所述平面存储器单元的介电层间隔开，

其中，所述下部金属层比所述上部金属层更靠近晶体管区。

11.根据权利要求10所述的存储器结构，其中，所述间隔件层为氮化物层。

12.根据权利要求10所述的存储器结构，其中，所述上部金属层通过所述电极电连接至所述平面存储器单元。

13.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，所述电极基本设置于所述平面存储器单元的中心处。

14.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，接近所述高k介电层的所述电极的底部是基本平坦的。

15.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，与所述上部金属层接触的所述电极的顶部包括波纹表面。