[发明专利]基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法有效
| 申请号： | 201611124457.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106654012B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;刘银涛;汪钰成;庞体强;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ch3nh3pbi3 pcbm 材料 反射 增强 互补 hemt 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT的制备方法，其特征在于，包括：
选取蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底下表面形成反射层；
在所述蓝宝石衬底上表面形成隔离区；
在所述蓝宝石衬底上表面形成源漏电极；
在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区一侧的生长电子传输层；
在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区另一侧的生长空穴传输层；
在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；
在整个衬底上表面生长形成栅电极材料，以形成所述反射增强互补型HEMT。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底下表面形成反射层，包括：
利用磁控溅射工艺，在所述蓝宝石衬底下表面溅射Ag材料形成所述反射层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上表面形成隔离区，包括：
采用第一掩膜版，利用磁控溅射工艺在所述蓝宝石衬底上表面生长SiO2材料，形成所述隔离区。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上表面形成源漏电极，包括：
采用第二掩膜版，利用磁控溅射工艺在包括隔离区的所述蓝宝石衬底上表面生长Au材料形成所述源漏电极。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区一侧的生长电子传输层，包括：
采用第三掩膜版，利用磁控溅射工艺，以TiO2材料作为靶材，在Ar和O2的气体环境，溅射功率为60～80W下，在所述隔离区一侧的所述蓝宝石衬底上表面溅射TiO2材料，形成所述电子传输层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区另一侧的生长空穴传输层，包括：
采用第四掩膜版，利用单一旋涂工艺，将Spiro-OMeTAD溶液滴加到在所述隔离区另一侧的所述蓝宝石衬底上表面并进行旋涂，形成所述空穴传输层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层，包括：
利用单一旋涂工艺，采用第五掩膜版，将CH3NH3PbI3溶液和PCBM材料按照体积比为100:1的比例滴加在包括电子传输层和所述空穴传输层的所述蓝宝石衬底表面，退火处理后形成所述光吸收层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
