[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的N型双向HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：

选取衬底；

在所述衬底表面形成FTO薄膜；

在所述FTO薄膜表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收层；

在所述第一光吸收层表面形成第一电子传输层；

在所述第一电子传输层表面形成源电极和漏电极；

在所述源电极、所述漏电极及未被所述源电极和所述漏电极覆盖的所述第一电子传输层表面形成第二电子传输层；

在所述第二电子传输层表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第二光吸收层；

在所述第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成所述双向HEMT器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选取衬底，包括：

选取厚度为200μm-600μm的Al₂O₃材料作为所述衬底；或者

选取厚度为200μm-600μm的Si材料并在所述Si材料表面利用热氧化工艺形成厚度为1μm的SiO₂材料，以Si材料和SiO₂材料整体作为所述衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底表面形成FTO薄膜，包括：

将钛酸四丁酯加入至二次蒸馏水中搅拌后获取沉淀物；

将所述沉淀物加入二次蒸馏水和浓硝酸的混合液中搅拌后涂抹在所述衬底表面以形成所述FTO薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述FTO薄膜表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收层，包括：

将PbI₂和CH₃NH₃I先后加入DMSO:GBL溶液中并搅拌，静置后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

利用单一涂抹法将所述CH₃NH₃PbI₃溶液旋涂在所述FTO薄膜表面并通过退火工艺形成所述第一光吸收层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一光吸收层表面形成第一电子传输层，包括：

采用TiO₂作为靶材，在氩气和氧气的气氛下，利用磁控溅射工艺，在所述第一光吸收层表面制作TiO₂材料以形成所述第一电子传输层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一电子传输层表面形成源电极和漏电极，包括：

采用第一金属材料作为靶材，在氩气气氛下，利用磁控溅射工艺，采用第一掩膜版在所述第一电子传输层表面形成所述第一金属材料以作为所述源电极和所述漏电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源电极、所述漏电极及未被所述源电极和所述漏电极覆盖的所述第一电子传输层表面形成第二电子传输层，包括：

采用TiO₂作为靶材，在氩气和氧气的气氛下，利用磁控溅射工艺，在所述源电极、所述漏电极及未被所述源电极和所述漏电极覆盖的所述第一电子传输层表面淀积TiO₂材料以形成所述第二电子传输层。