[发明专利]一种高迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611100963.4 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783997B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周劲;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高迁移率晶体管，其特征在于，包括宽禁带半导体或耐高温的晶体基体，在上述宽禁带半导体或耐高温的晶体基体上设有双层或三层石墨烯作为沟道，在沟道上淀积金属锌或铟并氧化形成氧化锌或氧化铟半导体薄膜，在上述氧化锌或氧化铟半导体薄膜上制备肖特基电极，在双层或三层石墨烯层上制作欧姆电极。
2.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述宽禁带半导体为GaN或AlN。
3.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述氧化锌或氧化铟半导体薄膜为4至10nm。
4.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述欧姆电极为Ti/Al/Ni/Au金属。
5.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述肖特基电极为Ni/Au或Pt/Au、Pd/Au、W/Au金属。
6.权利要求1所述的高迁移率晶体管的制备方法，其步骤包括：
1）利用MOCVD在蓝宝石或者碳化硅或者Si(111)衬底外延生长宽禁带半导体或耐高温的晶体基体；
2）制备双层或三层石墨烯薄膜，并将上述石墨烯薄膜转移到宽禁带半导体或耐高温的晶体基体上；
3）淀积一层金属锌或铟薄层，在纯氧氛围中低温氧化获得氧化锌或氧化铟半导体薄膜；
4）在上述双层或三层石墨烯上制作欧姆电极，以及上述氧化锌或氧化铟半导体薄膜上制作肖特基电极，并低温退火。
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