[发明专利]一种CDM保护电路结构在审
| 申请号： | 201611085720.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783806A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;孙旭光;李志国 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdm 保护 电路 结构 | ||
1.一种CDM保护电路结构其特征在于，电路结构由第一级ESD保护电路和第二级保护电路，其中：在所述第一级ESD保护电路中，使用对电源的双向低触发的ESD保护电路，同时使用对地的双向低触发的ESD保护电路；在所述第二级ESD保护电路中，使用对电源的双向低触发的ESD保护电路，同时使用对地的双向低触发的ESD保护电路。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一级ESD保护电路由ESD clamp1和ESD clamp2组成，所述第二级ESD保护电路由ESD clamp3和ESD clamp4组成；
当芯片充满正的静电电荷，射频信号输入端口接地时，静电电流从芯片内部流向射频信号输入端口，大部分的静电电荷通过射频信号输入端口和VSS1间的ESD clamp2，VDD1和射频信号输入端口间的ESD clamp1泄放，节点A和VSS2间的ESD clamp4，VDD2和节点A的ESD clamp3的作用是钳位A点的电位，使得此电位小于内部电路的失效电压，起到CDM保护的作用；
当芯片充满负的静电电荷，射频信号输入端口接地时，静电电流从射频信号输入端口流向芯片内部，大部分的静电电荷通过射频信号输入端口和VSS1间的ESD clamp2，VDD1和射频信号输入端口间的ESD clamp1泄放，节点A和VSS2间的ESD clamp4，VDD2和节点A的ESD clamp3的作用是钳位A点的电位，使得此电位小于内部电路的失效电压，起到CDM保护的作用。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一级ESD保护电路可以使用二极管，三极管，MOS管，可控硅管实现，所述第二级ESD保护电路可以使用二极管，三极管，MOS管，可控硅管实现。
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