[发明专利]用于抑制噪音的芯片上电磁带隙（EBG）结构在审
| 申请号： | 201611025452.0 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107039418A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭宪;许森贵;林建民;普翰屏;刘莎莉;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 噪音 芯片 磁带 ebg 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路(IC)管芯，包括：
电源网格和接地网格，堆叠在覆盖半导体衬底的后道制程(BEOL)区域内；
电感器，布置在所述电源网格和所述接地网格的上方，其中，所述电感器包括多个彼此堆叠并且端对端连接的多个电感器段以限定所述电感器的长度；以及
电容器，位于所述电源和接地网格下方；
其中，所述电容器和所述电感器串联连接，并且，所述电容器和所述电感器的各自的终端分别连接至所述电源网格和所述接地网格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
