[发明专利]半导体的反应离子刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610945499.2 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107993938A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈儒 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 反应 离子 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于，包括：
向反应腔通入用于与硅形成钝化层的第一气体，保持预定时长后，通入含氟的第二气体，达到第一时间点后先停止通入所述第二气体，达到第二时间点后再停止通入所述第一气体，所述第一时间点早于所述第二时间点。
2.如权利要求1所述的半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于：所述第一气体为CO2、CO、O2、N2中的任一或任意两种以上组合的混合气体。
3.如权利要求1所述的半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于：所述第二气体为SF6、CF4、CHF4、NF3中的任一。
4.如权利要求1所述的半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于：所述第一气体和所述第二气体的流量比例为2:3～5:6。
5.如权利要求1所述的半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于：刻蚀过程中的气压范围为3～400毫托，射频功率为100～220瓦，射频频率为60～80兆赫兹。
6.如权利要求1所述的半导体的反应离子刻蚀方法，其特征在于：还包括向反应腔通入惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
