[发明专利]一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610942673.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106571395A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 史波;曾丹;何昌;颜世桃 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【说明书】：
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