[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610919767.3 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978554B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;张城龙;黄敬勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构和被所述隔离结构分割的有源区，在所述半导体衬底上形成栅极叠层，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，在所述半导体衬底上形成包围所述栅极叠层的层间介电层；
在所述层间介电层上形成抗反射层和图形化的光刻胶层；
沿第一方向对所述图形化的光刻胶层进行定向带状等离子束处理，以改善所述图形化的光刻胶层在所述第一方向上的剖面，所述第一方向为接触孔的长度方向或所述有源区的延伸方向；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜蚀刻所述抗反射层，以图形化所述抗反射层；
沿第二方向对所述图形化的抗反射层进行关键尺寸调节蚀刻，以改善所述图形化的抗反射层在所述第二方向上的关键尺寸，所述第二方向为接触孔的宽度方向或字线方向；
以所述图形化的光刻胶层和抗反射层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以在所述源极和漏极对应的位置上形成源极接触孔和漏极接触孔。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述抗反射层为电介质抗反射层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过定向带状离子束工艺进行所述进行关键尺寸调节蚀刻。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述层间介电层和抗反射层之间形成转移层；
以所述图形化的光刻胶层和抗反射层为掩膜蚀刻所述转移层，以图形化所述转移层；
以所述图形化的转移层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以在所述源极和漏极对应的位置上形成源极接触孔和漏极接触孔。
5.一种采用如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法制作的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有隔离结构和被所述隔离结构分割的有源区，在所述半导体衬底上形成有栅极叠层，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，在所述半导体衬底上形成有包围所述栅极叠层的层间介电层，在所述层间介电层中形成有源极接触和漏极接触。
6.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
