[发明专利]存储模块及其存储系统和操作方法

说明书

一种存储系统可以包括存储模块和存储控制器。该存储模块包含在其中安装的多个存储芯片，每一个存储芯片包含多个存储体，所述多个存储芯片可基于相同命令和地址同时存取。所述存储控制器适用于在基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片的每一者的存储体的顺序时将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月17日提交的申请号为10-2016-0032358的韩国专利申请的优先权，其公开的内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及半导体设计技术，更具体地，涉及一种能执行修复操作的双列直插式存储模块(DIMM)。

背景技术

半导体存储器件以所适用的系统所要求的形式制造，以便实现半导体存储器件的大容量和高性能。例如，对于像个人电脑(PC)的系统，多个存储器件集成在一个印刷电路板(PCB)上且以模块的形式提供。模块在系统中通过插槽安装。

在半导体存储器件的模块中，最常见的模块之一是双列直插式存储模块(DIMM)。

DIMM可以包括安装在其中的多个动态随机存储器(DRAM)芯片和寄存器。当形成DRAM芯片的大量微单元中的任何一个发生缺损时，DRAM芯片不能恰当地实现其功能。在这种情况下，可以采用冗余法，冗余法是指采用安装在DRAM芯片中的冗余存储单元替换缺损单元，从而增加成品率。根据冗余法，当存储单元被检测为缺损单元时，可以用按行/列制备好的冗余单元替换缺损单元。因此，可以不用废弃DRAM芯片而是继续使用。

然而，在DIMM包括多个DRAM芯片的情况下，需要根据相同的命令和地址驱动一个或多个DRAM芯片。即，各个DRAM芯片里的存储体可以彼此映射，且可以根据相同的命令和地址存取被映射的存储体的单元的行或列。当将在各个DRAM芯片中包括的缺损单元放置在不同的行或列时，尽管行或列与其它芯片的缺损单元相对应，根据相同的命令和地址驱动的DRAM芯片并不能使用所有的行或列。因此，降低了整个DIMM的成品率。

因此，需要DIMM的更有效的修复操作的方案。

发明内容

本公开各实施例涉及一种存储模块及包括该存储模块的存储系统和操作方法，该存储模块包括基于相同的命令和地址操作的多个存储芯片且基于存储芯片的修复信息重新排列所述存储芯片的每一个的存储体的顺序。

在一个实施例中，一种存储系统可以包括：存储模块，所述存储模块包括安装在其中的多个存储芯片，每个存储芯片包括多个存储体，所述多个存储芯片能够基于相同的命令和地址同时存取；以及存储控制器，所述存储控制器适用于当基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片中的每一个的存储体的顺序时，将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射。

在一个实施例中，提供一种存储模块，该存储模块包括适合基于相同的命令和地址同时存取的多个存储芯片，每个存储芯片包括被映射到其它存储芯片的各个存储体的多个存储体，其中所述多个存储芯片中的每一个包括：存储阵列区域，具有设置在其中的多个存储体，所述多个存储体中的每一个包括正常单元和用于替换在所述正常单元中的修复目标单元的冗余单元；修复存储单元，所述修复存储单元适用于存储所述修复目标单元的修复地址，且将所述修复地址作为修复信息输出；修复控制单元，所述修复控制单元适用于比较所述修复信息和行地址，以及产生用于选择性地启用在所述修复目标单元和所述冗余单元之间的冗余路径的修复控制信号；存储体控制单元，所述多个存储体控制单元适用于通过解码存储体地址产生多个存储体选择信号，基于所述多个存储体选择信号产生多个存储体启用信号，并响应于映射信号重新排列所述多个存储体选择信号的顺序；行电路，所述行电路适用于基于所述多个存储体选择信号和所述修复控制信号启用与所述行地址相对应的字线；以及列电路，所述列电路适用于在读取操作或写入操作期间存取通过所述多个存储体启用信号和列地址选择的位线的数据。