[发明专利]存储模块及其存储系统和操作方法有效

专利信息
申请号: 201610902183.5 申请日: 2016-10-17
公开(公告)号: CN107204197B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 许京哲;金龙珠;权正贤;李圣恩;李在缮 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C29/44
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 李少丹;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 模块 及其 存储系统 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储系统,包括:

存储模块,所述存储模块包括安装在其中的多个存储芯片,每个存储芯片包括多个存储体,所述多个存储芯片能够基于相同的命令和地址同时存取;以及

存储控制器,所述存储控制器适用于当基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片中的每一者的存储体的顺序时,将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射,

其中,当将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射时,所述存储控制器映射所含缺损单元具有相同行地址或列地址的存储体。

2.如权利要求1所述的存储系统,其中所述存储控制器包括:

修复信息管理单元,所述修复信息管理单元适用于接收和存储所述多个存储芯片的修复信息并在初始化阶段基于所存储的修复信息产生用于映射所含缺损单元具有相同行地址或列地址的存储体的映射信号。

3.如权利要求2所述的存储系统,其中,所述修复信息管理单元包括用于接收和存储所述多个存储芯片的修复信息的电熔丝阵列或非易失性存储器件。

4.如权利要求2所述的存储系统,其中,在基于动态随机存取存储器DRAM的寻址PDA模式期间,所述存储控制器将所述映射信号以地址或命令的形式传输到所述多个存储芯片。

5.如权利要求2所述的存储系统,其中,所述多个存储芯片中的每一个包括:

存储阵列区域,所述存储阵列区域具有在其中设置的多个存储体,所述多个存储体中的每个存储体包括正常单元以及用于替换所述正常单元中的修复目标单元的冗余单元;

修复存储单元,所述修复存储单元适用于存储所述修复目标单元的修复地址,并将这些修复地址作为修复信息输出;

修复控制单元,所述修复控制单元适用于比较所述修复信息和行地址,以及产生用于选择性地启用在所述修复目标单元和所述冗余单元之间的冗余路径的修复控制信号;

存储体控制单元,所述存储体控制单元适用于通过解码存储体地址产生多个存储体选择信号,基于所述多个存储体选择信号产生多个存储体启用信号,以及响应于所述映射信号重新排列所述多个存储体选择信号的顺序;

行电路,所述行电路适用于基于所述多个存储体选择信号和所述修复控制信号来启用与所述行地址相对应的字线;以及

列电路,所述列电路适用于在读取操作或写入操作期间存取通过所述多个存储体启用信号和列地址选择的位线的数据。

6.如权利要求5所述的存储系统,其中所述存储体控制单元包括:

选择信号产生单元,所述选择信号产生单元适用于通过解码所述存储体地址产生与各个存储体相对应的基于存储体的选择信号;

重新排列单元,所述重新排列单元适用于通过响应于所述映射信号重新排列所述基于存储体的选择信号的顺序来产生所述多个存储体选择信号;以及

启用信号产生单元,所述启用信号产生单元适用于响应于激活信号和预充电信号产生所述多个存储体启用信号,所述多个存储体启用信号用于启用与所述多个存储体选择信号相对应的各个存储体。

7.如权利要求5所述的存储系统,其中所述存储体控制单元包括:

重新排列单元,所述重新排列单元适用于通过响应于所述映射信号重新排列所述存储体地址来产生重新排列的存储体地址;

选择信号产生单元,所述选择信号产生单元适用于通过解码所述重新排列的存储体地址来产生所述多个存储体选择信号;以及

启用信号产生单元,所述启用信号产生单元适用于响应于激活信号和预充电信号来产生所述多个存储体启用信号,所述多个存储体启用信号用于启用与所述多个存储体选择信号相对应的各个存储体。

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