[发明专利]半导体晶圆的抛光方法在审
| 申请号： | 201610899466.9 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107953225A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B9/06;B24B37/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 抛光 方法 | ||
1.一种半导体晶圆的抛光方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；
S2在所述半导体晶圆的正反两面上分别形成环形氧化层，所述环形氧化层覆盖所述半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域；
S3对所述半导体晶圆的边缘进行镜面抛光，同时去除所述环形氧化层；
S4对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S1采用化学机械反应的方法进行初步抛光。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：在步骤S1之后，对所述半导体晶圆的正反两面进行清洗。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S2形成环形氧化层的方法为：在所述半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域旋涂臭氧水。
5.根据权利要求1或4任一项所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：所述外圆周区域为圆环形；所述圆环形的外径与所述半导体晶圆相同，中心位于所述半导体晶圆的中心。
6.根据权利要求4所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：旋涂臭氧水的厚度为0.1～20mm。
7.根据权利要求4所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：旋涂的臭氧水浓度为5ppm～100ppm。
8.根据权利要求4所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S2形成所述环形氧化层后，用去离子水对所述半导体晶圆正反两面进行冲洗。
9.根据权利要求4所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S2后，对所述半导体晶圆进行干燥。
10.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S2中形成的环形氧化层的厚度为0.3～3nm。
11.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S3中，采用化学机械反应的方法进行镜面抛光。
12.根据权利要求1所述的半导体晶圆的抛光方法，其特征在于：步骤S4中，采用化学机械反应的方法分多步进行镜面抛光。
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