[发明专利]用于阻抗匹配电路中的均匀性控制电路

权利要求书

1.一种阻抗匹配电路，其包括：

第一电路，其包括沿路径限定的第一多个调谐元件，所述第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)发生器的输入端，其中所述第一电路被耦合到输出端；

第二电路，其具有第二多个调谐元件，其中所述第二电路具有耦合到兆赫(MHz)RF发生器的输入端，并被耦合到所述输出端；

其中所述第一和第二电路的所述输出端被耦合到RF传输线的输入端，所述RF传输线耦合到用于处理半导体衬底的等离子体室的电极，以及

均匀性控制电路，其由所述第一电路的所述多个调谐元件中的至少一个限定，其中所述均匀性控制电路沿所述第一电路的所述路径串联连接以限定电容，所述电容至少部分地影响通过所述等离子体室产生的蚀刻速率的径向均匀性分布，其中所述电容的改变导致所述径向均匀性分布的调整，其中所述kHz RF发生器被配置成在50kHz到低于1000kHz的范围内操作。

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述电容的所述改变导致在所述RF传输线处的RF杆电势的调整，同时导致所述径向均匀性分布的所述调整。

3.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述电容被限定为提供与通过所述第二电路传输的MHz RF信号的预先确定的隔离水平，并实现被输送到所述等离子体室的所述电极的预先确定的功率电平。

4.根据权利要求3所述的阻抗匹配电路，其中所述第一电路经由RF电缆被耦合到探针，其中所述探针被用来计算经由所述第一电路输送的功率的量，其中所述输送的功率的量和所述预先确定的功率电平被用来设置所述均匀性控制电路的所述电容。

5.根据权利要求3所述的阻抗匹配电路，其中所述第一电路被耦合到功率传感器，其中所述第二电路被耦合到功率传感器，其中所述功率传感器被用来计算经由所述第一电路传输的kHz RF信号与经由所述第二电路传输的所述MHz RF信号的隔离的量，其中所计算出的所述隔离的量和所述预先确定的隔离水平被用来设置所述均匀性控制电路的所述电容。

6.根据权利要求3所述的阻抗匹配电路，其中所述第一电路经由RF电缆耦合到探针，其中所述探针被用来计算经由所述第一电路输送的功率的量，其中所述输送的功率的量被用来设置所述均匀性控制电路的所述电容，

其中所述第一电路被耦合到功率传感器，其中所述第二电路被耦合到功率传感器，其中所述功率传感器用于计算经由所述第一电路传输的所述kHz RF信号与经由所述第二电路传输的所述MHz RF信号的隔离的量，其中所计算出的所述隔离的量和所述预先确定的隔离水平被用来设置所述均匀性控制电路的所述电容。

7.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述电容由一个或多个电容器限定。

8.根据权利要求7所述的阻抗匹配电路，其中所述电容通过将所述一个或多个电容器用一个或多个替换电容器更换来调整。

9.根据权利要求7所述的阻抗匹配电路，其中所述电容通过动态改变所述电容器中的一个或多个的可变控制来调整。

10.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述第一电路包括一个或多个串联电路元件和一个或多个并联电路元件，其中所述第二电路包括一个或多个串联电路元件和一个或多个并联电路元件，其中所述均匀性控制电路与所述第一电路的所述一个或多个串联电路元件串联耦合，其中所述均匀性控制电路不是并联电路元件。

11.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述均匀性控制电路包括一个或多个电容器，所述一个或多个电容器具有600皮法到15000皮法范围内的电容。

12.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述均匀性控制电路包括可变电容器，所述电容由主机系统经由致动器控制。