[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种在图案曝光时能够防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。本发明的基板处理方法对图案曝光前的基板的背面进行研磨来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为半导体晶片。并且，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。通过该表面粗化处理，在曝光时吸附该基板来载置该基板的载置台与基板的背面的接触面积减少，因此，被吸附的基板的背面能够在载置台上滑动，能够消除载置台上的基板的形变。其结果是，能够抑制基板的曝光位置从正常的位置的偏移，能够实现曝光的重叠的改善。

技术领域

本发明涉及包括对图案曝光前的作为半导体晶片的基板进行的处理的基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

半导体装置具有多层配线结构。为了形成该多层配线结构，在半导体装置的制造过程中，对作为基板的半导体晶片(以下记为晶片)进行多次光刻步骤，该光刻步骤形成用于形成配线的作为掩模图案的抗蚀剂图案。在各光刻步骤间，以在晶片的相同区域进行拍摄(Shot)的方式进行曝光处理。通过进行上述的半导体装置的配线的精细化，要求提高先前的光刻步骤中进行拍摄的区域和在后的光刻步骤中进行拍摄的区域的对位的精度、即重叠(重合)的精度。

但是，晶片在曝光处理时载置于设置在曝光器的载置台，通过设置在载置台的吸引口，被向该载置台的表面吸引，在载置台上的该晶片的位置被固定的状态下进行曝光拍摄。但是，被搬送至曝光器的晶片并不平坦，有时产生形变。这样的晶片被载置在载置台时，存在保持形变了的状态被吸附在该载置台来进行曝光拍摄的情况。在该情况下，在从原来的进行拍摄的区域偏移了的区域进行拍摄。所以，在提高上述的重叠的精度方面具有限制。专利文献1中记载了使用散射计(Scatterometer)检测关于重叠的误差，由此来控制用于进行曝光的扫描的动作，但是，将上述的晶片载置在载置台时的问题并没有被关注，没能解决该问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-171732号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够在图案曝光中防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基板处理方法，其特征在于，包括：研磨基板的背面来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为图案曝光前的半导体晶片，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。

本发明的基板处理装置，在基板形成抗蚀剂膜，对图案曝光后的基板进行显影，上述基板为半导体晶片，上述基板处理装置的特征在于，包括：研磨上述图案曝光前的基板的背面来对上述背面进行表面粗化处理的研磨处理部，上述基板处理装置对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。

发明效果

根据本发明对半导体晶片即基板的背面进行研磨来进行表面粗化处理，在曝光时相对于吸附该基板并载置该基板的载置台与接触面积减少。由此，被吸附的基板的背面能够在载置台上滑动，基板延载置台的表面被矫正，在该载置台上的基板的形变被消除。所以，能够抑制基板被曝光的位置从正常的位置的偏移。由此，能够实现曝光的重叠的改善。

附图说明

图1是上述涂敷、显影装置的详细的平面图。

图2是上述涂敷、显影装置的立体图。

图3是上述涂敷、显影装置的概略纵截侧面图。

图4是上述曝光器所包含的载置台的纵截侧面图。

图5是上述曝光器的载置台的平面图。

图6是表示设置在上述涂敷、显影装置的表面粗化处理模块的构成的立体图。