[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

研磨基板的背面来对该背面进行表面粗化处理，所述基板为图案曝光前的半导体晶片，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理，

在所述表面粗化处理中，通过研磨所述基板的背面，在基板的背面中各个距离基板的中心的半径不同的位置在周向上形成螺旋状或者同心圆状的槽。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

通过进行所述基板的背面的研磨，降低在将基板载置在图案曝光器的基板载置台上并吸引该基板时、基板的背面与设置在基板载置台的多个突起部的上表面之间的摩擦。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

通过用相同的研磨体研磨所述基板的背面，在基板的背面中各个距离基板的中心的半径不同的位置在周向上形成槽。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在研磨了所述基板的背面之后，利用纯水清洗该背面。

5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板的背面的研磨包括在使所述基板旋转的同时使研磨体在基板背面的中央部与周缘侧的部位之间扫描的工序。

6.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板的背面的研磨包括在使所述基板旋转的同时使研磨体在基板背面的中央部与周缘侧的部位之间扫描的工序。

7.一种基板处理装置，在基板形成抗蚀剂膜，对图案曝光后的基板进行显影，所述基板为半导体晶片，所述基板处理装置的特征在于，包括：

研磨图案曝光前的基板的背面来对所述背面进行表面粗化处理的研磨处理部，

所述基板处理装置对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理，

在所述表面粗化处理中，通过研磨所述基板的背面，在基板的背面中各个距离基板的中心的半径不同的位置在周向上形成螺旋状或者同心圆状的槽。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

所述研磨处理部包括：

保持基板的背面的周缘部或基板的外周端，使基板旋转的机构；

研磨基板的背面的研磨体；和

使所述研磨体在基板的中央部与周缘侧的部位之间移动的移动机构。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

在利用研磨体研磨所述基板的背面的周缘部时使用的、吸附保持所述基板的背面的中央部来使该基板旋转的机构。