[发明专利]电介质组合物以及电子元件

说明书

本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式A_αB_βC_2γO_α+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。

技术领域

本发明涉及电介质组合物以及电子元件。

背景技术

为了对应于以智能手机或平板电脑为代表的移动体通信设备的更一步高速大容量通信化而开始了同时使用多个频带的MIMO技术(Multi-Input Multi-Output)的实用化。如果使用于通信的频带有所增加的话则各个高频元件在每一个频带上成为必要，但是对于就这样维持设备的尺寸并增加元件个数来说要求各个元件被进一步小型化以及高功能化。

作为像这样的高频对应的电子元件例如有同向双工器(天线分离滤波器)(diplexer)和带通滤波器(band-pass filter)等。这些是由无论哪个都由担当着电容器的电介质与担当着电感器的磁性体的组合所构成，但是为了获得良好的高频特性而要求抑制在高频带上的各个损耗。

如果着眼于电介质的话则要求下述各项目等：(1)对应于小型化的要求为了减小电容器部的面积而要提高相对介电常数(εr)；(2)为了良好地做到频率的选择性而要降低介电损耗即要提高Q值；(3)绝缘破坏电压要高。

例如，一般来说非晶SiNx膜因为其在高频(2GHz)条件下的Q值高到大约500左右并且绝缘破坏电压也高到大约500～700V/μm左右所以被广泛使用于高频对应的电子元件，但是因为相对介电常数低到大约7的程度所以为了持有目的功能而大电极面就成为了必要，并且对应于小型化的要求是困难的。

在非专利文献1中记载有通过在成膜后对CaZrO₃薄膜实施焖火处理从而形成Ca-Zr-O的非晶膜。此时，Ca-Zr-O非晶膜的100kHz上的相对介电常数为12.8～16.0，Q值为370～555。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Science direct Physica B 348(2004)440-445“Preparation andcharacterization of sol-gel derived CaZrO₃dielectric thin film for high-kapplications”

发明内容

发明所要解决的技术问题

在非专利文献1中，Q值在测定频率为100kHz的时候是370～555，并且在测定频率为1MHz的时候成为200以下。因为能看到Q值伴随于测定频率增大而减少的倾向，所以能够预想到Q值在2GHz条件下会进一步降低。另外，绝缘破坏电压低至260V/μm。作为结果一方面与非晶SiNx相比较相对介电常数变成大约2倍以上，一方面却又达不到Q值以及绝缘破坏电压的改善。

本发明就是借鉴了如以上所述那样的现实状况而做出的不懈努力之结果，其目的在于提供一种即使是在高频(2GHz)区域也具有高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。

解决技术问题的手段