[发明专利]电熔丝结构

权利要求书

1.一种电熔丝结构，包含：

基底；

堆叠型电容，设于该基底上，该堆叠型电容包含：

两个或两个以上的下电极，设于该基底上；

电容介电层，设于该多个下电极上；以及

单一上电极，设于该电容介电层上。

2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中各该下电极包含：

下电极板；以及

多个存储节点(storage nodes)，设于该下电极板上。

3.如权利要求2所述的电熔丝结构，其中该下电极板及该多个存储节点包含不同材料。

4.如权利要求2所述的电熔丝结构，其中该多个存储节点由该下电极板垂直向上延伸。

5.如权利要求2所述的电熔丝结构，另包含支撑层，沿着水平方向连接该多个存储节点。

6.如权利要求5所述的电熔丝结构，其中该支撑层包含介电材料。

7.如权利要求5所述的电熔丝结构，其中该支撑层包含导电材料。

8.如权利要求5所述的电熔丝结构，其中该电容介电层环绕该多个存储节点及该支撑层。

9.如权利要求8所述的电熔丝结构，其中该电容介电层包含高介电常数介电层。

10.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中该单一上电极包含：

导电层，设于该电容介电层上；

多晶硅层，设于该导电层上；以及

上电极板，设于该多晶硅层上。

11.一种半导体元件，包含：

基底，该基底上具有存储器区以及电熔丝区；

第一堆叠型电容，设于该存储器区，该第一堆叠型电容包含：

第一下电极；

第一电容介电层，设于该第一下电极上；以及

一第一上电极，设于该第一电容介电层上；

第二堆叠型电容，设于该电熔丝区，该第二堆叠型电容包含：

两个或两个以上的第二下电极；

第二电容介电层，设于该多个第二下电极上；以及

单一第二上电极，设于该第二电容介电层上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中各该第一下电极包含：

第一下电极板；以及

多个第一存储节点，设于该第一下电极板上。

13.如权利要求12所述的半导体元件，另包含一第一支撑层沿着水平方向连接该多个第一存储节点。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一电容介电层环绕该多个第一存储节点及该第一支撑层。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一上电极包含：

第一导电层，设于该第一电容介电层上；

第一多晶硅层，设于该第一导电层上；以及

第一上电极板，设于该第一多晶硅层上。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中各该第二下电极包含：

第二下电极板；以及

多个第二存储节点，设于该第二下电极板上。

17.如权利要求16所述的半导体元件，另包含第二支撑层，沿着水平方向连接该多个第二存储节点。

18.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第二支撑层包含介电材料。

19.如权利要求17所述的半导体元件，其中该第二电容介电层环绕该多个第二存储节点及该第二支撑层。

20.如权利要求11所述的半导体元件，其中该单一第二上电极包含：

第二导电层，设于该第二电容介电层上；

第二多晶硅层，设于该第二导电层上；以及

第二上电极板，设于该第二多晶硅层上。