[发明专利]一种制备有序银纳米球阵列的方法有效
| 申请号： | 201610658664.6 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106282931B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张璋;曾志强;苏绍强;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/58;C23C14/16;C25D11/12;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 510631 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 球阵列 银纳米 制备 阵列模板 退火 尺寸分布 高度有序 模板转移 制备工艺 纳米球 热蒸镀 基底 可调 银膜 | ||
1.一种制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述方法包括：
利用二次氧化的方法制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品；
将热蒸镀腔内压强抽至2.5×10-4Pa以得到真空度，以热蒸镀的速率为所述OAB阵列模板样品所在的样品托盘转动速度为20r/min的条件下，在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜；
将所述OAB阵列模板样品转移至压强抽至2.5×10-3Pa以得到真空度的管式炉中，在所述管式炉中的500℃真空下退火1h，获得有序银纳米球阵列结构。
2.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述在制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品之前，
将铝片样品在400℃氮气氛围下退火4h，然后在电化学条件下抛光。
3.如权利要求2所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述铝片样品纯度为99.999％。
4.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述利用二次氧化的方法制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品，包括：
一次氧化是将铝片样品在0.3wt.％H2SO4，温度为0.6℃，24V的电化学条件下，氧化24h后，然后将铝片样品转移至1.8wt.％铬酸和6wt.％H3PO4、温度为43℃的混合溶液中去除上述所获得的氧化层；
二次氧化是在与所述一次氧化相同的条件，即0.3wt.％H2SO4，温度为0.6℃，24V的电化学条件下，继续氧化180s，然后将铝片转移至1.8wt.％铬酸和6wt.％H3PO4、温度为43℃的混合溶液中去除氧化层，即得到所述OAB阵列模板样品。
5.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜，包括：
利用热蒸发镀膜系统的热蒸镀腔，在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀一层预置厚度的银薄膜。
6.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述将所述OAB阵列模板样品转移至压强抽至2.5×10-3Pa以得到真空度的管式炉中，在所述管式炉中的500℃真空下退火1h之前，
将所述管式炉压强抽至2.5×10-3Pa以得到真空度，然后再升温到500℃。
7.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述有序银纳米球阵列结构的密度大于1010cm-1。
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