[发明专利]包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装

说明书

包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装。一种半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽，第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触，外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。

技术领域

本公开的实施方式总体上涉及半导体封装，并且，更具体地，涉及包括具有阶梯状(terrace-like)边缘的模制层叠晶片(molded stacked die)的半导体封装。

背景技术

在电子行业中，随着更快速、大容量、小型化半导体封装的发展，对于包括多个半导体晶片或多个半导体芯片的单个统一封装的需求越来越大。如果在电子系统中采用单个统一封装，则可以减小电子系统的尺寸，并且还可以减小电子系统中的信号传输路径的长度。在单个统一封装在其中包括多个半导体晶片的情况下，所述多个半导体晶片的一部分可以在该单个统一封装的表面处暴露以便经由该单个统一封装从半导体晶片有效地散热。

当将至少两个半导体封装彼此组合以实现诸如系统级封装(SIP)的高级别半导体封装时，可能需要多个半导体晶片的层叠结构以提供SIP的一部分。在这种情况下，可以在没有任何印刷电路板(PCB)的情况下实现多个半导体晶片的层叠结构，并且多个半导体晶片的层叠结构的一部分可以在SIP的表面处暴露。

如果半导体晶片的一部分在半导体封装的表面处暴露，则施加至半导体晶片的暴露部分的外部冲击或与外部构件的物理接触可能导致诸如碎裂缺陷的机械损坏。碎裂缺陷可能产生颗粒，这种颗粒会导致其它故障。因而，可能需要用于抑制碎裂的半导体晶片的层叠结构以实现诸如SIP的高级别半导体封装。

发明内容

根据实施方式，半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件以及阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽，第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在该凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触，并且外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。

根据实施方式，半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、外部连接件、模制层和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。

根据实施方式，半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。与模制层的外侧壁相比，第一半导体晶片的侧壁朝向第一半导体晶片的中央部分偏移。

根据实施方式，提供了包括半导体封装的存储卡。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件以及阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽，第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在该凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触，并且外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。