[发明专利]包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

第一半导体晶片；

外部连接件，所述外部连接件被布置在所述第一半导体晶片的第一表面上方；

第二半导体晶片，所述第二半导体晶片层叠在所述第一半导体晶片的第二表面上方；

模制层，所述模制层覆盖所述第二半导体晶片的侧壁；

外部封装部件，所述外部封装部件具有凹槽，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中；以及

阶梯状边缘，所述阶梯状边缘被布置在所述模制层的边缘下面以暴露所述第一半导体晶片的侧壁，

其中，所述模制层的外侧壁的一部分与所述外部封装部件的内表面的一部分接触，并且

其中，所述外部封装部件的内表面通过所述阶梯状边缘来与所述第一半导体晶片的侧壁间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述外部封装部件包括：

承载带，所述承载带提供容纳凹槽，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的层叠结构被放置在所述容纳凹槽中；以及

覆盖带，所述覆盖带被附接至所述承载带的上部以将所述容纳凹槽密封，

其中，所述承载带包括：

连接件壳体，所述连接件壳体提供第一空间，所述外部连接件被放置在所述第一空间中；

晶片支承部分，所述晶片支承部分从所述连接件壳体的上部水平地且向外地延伸；以及

侧壁部分，所述侧壁部分从所述晶片支承部分的边缘竖直地且向上地延伸以提供第二空间，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片以及所述模制层被放置在所述第二空间中，所述承载带的侧壁部分与所述第一半导体晶片的侧壁间隔开，并且所述承载带的侧壁部分的一部分与所述模制层的外侧壁的一部分接触。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第一半导体晶片的侧壁从所述模制层的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入；

所述阶梯状边缘暴露所述模制层的与所述第一半导体晶片的侧壁相邻的水平表面；并且

所述模制层的水平表面、所述模制层的外侧壁以及所述第一半导体晶片的侧壁构成所述阶梯状边缘。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第一半导体晶片的侧壁从所述模制层的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入，并且与所述模制层的与所述第一半导体晶片相邻的内侧壁竖直对齐；

所述阶梯状边缘暴露所述模制层的位于所述模制层的外侧壁和内侧壁之间的水平表面；并且

所述模制层的水平表面、所述模制层的外侧壁、所述模制层的内侧壁以及所述第一半导体晶片的侧壁构成所述阶梯状边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体晶片的侧壁包括：

外侧壁，所述外侧壁与所述模制层的外侧壁竖直对齐；

内侧壁，所述内侧壁从所述第一半导体晶片的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入以与所述第一半导体晶片的外侧壁间隔开；以及

水平表面，所述水平表面位于所述第一半导体晶片的外侧壁和内侧壁之间，

其中，所述第一半导体晶片的内侧壁、所述第一半导体晶片的水平表面和所述第一半导体晶片的外侧壁构成所述阶梯状边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体晶片通过穿入所述第一半导体晶片的电极来电连接至所述第二半导体晶片的最下面的晶片。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片通过分别穿入所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的电极来彼此电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，第一半导体晶片的边缘从所述第二半导体晶片的侧壁侧向地伸出。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片构成高带宽存储器HBM器件。