[发明专利]集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法有效
申请号: | 201610599805.1 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106098780B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 邓小川;宋凌云;陈茜茜;柏思宇;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 温度传感器 碳化硅 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610599805.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种圆孔支撑模具矫正器
- 下一篇:换气通风消毒防尘环保窗
- 同类专利
- 专利分类