[发明专利]一种半导体结构

说明书

本发明公开了一种半导体结构，包含一第一井区；一半导体组件，形成或接触于该第一井区；一第二井区，该第一井区是形成于该第二井区；及一第一隔离层，用以降低该第一井区及该第二井区间的寄生效应。该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第一井区的底部的深度。该第一隔离层是实质上沿着该第一井区的侧部边界形成一环状结构，其中该第二井区的参杂类型是相异于该第一井区的参杂类型。

技术领域

本发明是关于一种半导体结构，尤指具有隔离层以降低寄生效应的半导体结构。

背景技术

随着高频应用逐渐普及，半导体结构的制程领域亦面临高频操作所导致的寄生电容与寄生电阻增加的寄生效应的问题。举例而言，于一般的单阱(single-well)互补式金氧半导体组件中，仅具有单一阱区，其设置于半导体基板(substrate)上，当此单阱晶体管结构操作于高频时，阱区及基板间的寄生效应将造成干扰而导致电路特性不良。因此，目前本领域已有多重阱(multi-well)的半导体组件，例如三重阱(triple-well)晶体管组件，其是使用多重阱区以提供较高的隔离效果。然而，当使用于更高频的操作，例如射频(radiofrequency)应用时，寄生效应仍难以降低，故本领域实须解决方案以更有效地降低晶体管组件的寄生效应。

有鉴于此，如何设计一种新的半导体结构，以消除现有技术中的上述缺陷和不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

为了克服现有技术中的技术问题，本发明提供了一种具有较低寄生效应的半导体结构。

本发明一实施例公开了一种半导体结构，包含一第一阱区、一半导体组件、一第二阱区及一第一隔离层。该半导体组件形成或接触于该第一阱区。该第一阱区是形成于该第二阱区内。该第一隔离层是用以降低该第一阱区及该第二阱区间的寄生效应，该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第一阱区的底部的深度，且该第一隔离层是实质上沿着该第一阱区的侧部边界形成一第一环状结构，其中该第二阱区的掺杂类型是相异于该第一阱区的掺杂类型。

本发明的另一实施例公开一种半导体结构，包含一第一阱区、一半导体组件、一第二阱区、一重掺杂区、一第二隔离层。该半导体组件形成或接触于该第一阱区。该第一阱区是形成于该第二阱区内。该重掺杂区是形成于该第一阱区，并位于该半导体组件及该第一阱区的侧部边界之间。该第二隔离层是用以降低该重掺杂区及该半导体组件之间的寄生效应，该第二隔离层形成一第二环状结构，该第二隔离层的底部的深度是至少深达该第一阱区的底部的深度。该第二环状结构具有N个第二开口，该第二阱区的掺杂类型是相异于该第一阱区的掺杂类型，N为大于0的正整数。

本发明实施例的具有足够深度的隔离层结构的半导体结构，实可于高频操作下有效提高等效寄生电阻与降低寄生电容，从而避免寄生效应而提高组件效能，又因隔离层形成之环状结构可视其深度留有开口，故可支持逆向偏压之施加而进一步削减寄生效应，故本发明对于提升高频操作的效能实有帮助。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1是本发明实施例的半导体结构的剖面示意图；

图2是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；

图3是图2的实施例的半导体结构的布局示意图；

图4是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；

图5是图4的实施例的半导体结构的布局示意图；

图6是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；

图7是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；

图8是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；

图9是本发明另一实施例的半导体结构的剖面示意图；