[发明专利]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

一第一阱区；

一半导体组件，形成或接触于该第一阱区；

一第二阱区，其中该第一阱区是形成于该第二阱区内；及

一第一隔离层，用以降低该第一阱区及该第二阱区间的寄生效应，该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第一阱区的底部的深度，且该第一隔离层是实质上沿着该第一阱区和第二阱区之间的边界形成一第一环状结构；

其中该第二阱区的掺杂类型系相异于该第一阱区的掺杂类型；

一第一掺杂区，位于该第一阱区；

一第二掺杂区，位于该第一阱区；

一重掺杂区，形成于该第一阱区，并位于该第一掺杂区及该第一阱区的侧部边界之间、及该第二掺杂区及该第一阱区的侧部边界之间；

一第二隔离层，位于该重掺杂区及该第一掺杂区之间、及该重掺杂区及该第二掺杂区之间，用以降低该重掺杂区及该第一掺杂区之间、及该重掺杂区及该第二掺杂区之间的寄生效应，该第二隔离层形成一第二环状结构；

其中该第二环状结构具有N个第二开口，N为大于0的正整数。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一隔离层的底部是浅于该第二阱区的底部。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第二阱区的底部的深度，该第一环状结构是具有M个第一开口，且M为大于0的正整数。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一隔离层是位于该第一阱区的侧部边界且接触该第一阱区与该第二阱区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一隔离层是位于该第一阱区的侧部边界的内侧或外侧，且该第一隔离层是实质上未接触该第一阱区的侧部边界。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二掺杂区、该第一阱区及该第一掺杂区形成一晶体管组件。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二隔离层是接触该重掺杂区、该第一掺杂区及/或该第二掺杂区。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，该半导体结构另包含：

一第三阱区，其中该第二阱区是形成于该第三阱区内；及

一第三隔离层，用以降低该第二阱区及该第三阱区间的寄生效应，该第三隔离层是实质上沿着该第二阱区的侧部边界形成一第三环状结构；

其中该第三阱区的掺杂类型是相异于该第二阱区的掺杂类型。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该第三隔离层的底部的深度是至少深达该第三阱区的底部的深度，该第三环状结构是具有K个第三开口，K为大于0的正整数。

10.一种半导体结构，包含：

一第一阱区；

一半导体组件，形成或接触于该第一阱区；

一第二阱区，其中该第一阱区是形成于该第二阱区内；

一重掺杂区，形成于该第一阱区，位于该半导体组件及该第一阱区的侧部边界之间；及

一第二隔离层，用以降低该重掺杂区及该半导体组件之间的寄生效应，该第二隔离层沿着该第一阱区和第二阱区之间的边界形成一第二环状结构，该第二隔离层的底部的深度是至少深达该第一阱区的底部的深度；

其中该第二环状结构具有N个第二开口，该第二阱区的掺杂类型是相异于该第一阱区，N为大于0正整数。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，另包含：

一第一掺杂区，形成于该第一阱区；

一第二掺杂区，形成于该第一阱区，用以与该第一阱区及该第一掺杂区形成该半导体组件；

其中该重掺杂区是位于第一掺杂区及该第一阱区的侧部边界之间、及该第二掺杂区及该第一阱区的侧部边界之间，该第二隔离层是用以降低该重掺杂区及该第一掺杂区或该第二掺杂区之间的寄生效应。