[发明专利]一种晶圆薄化制备工艺

说明书

本发明涉及一种晶圆薄化制备工艺，属于半导体技术领域，其步骤包括：S1研磨晶圆，研磨晶圆的一面，使该晶圆被研磨至第一预定厚度；S2蚀刻晶圆，对具有该第一厚度的晶圆的被研磨面进行蚀刻，以使该晶圆被蚀刻至一第二预定厚度；S3去除晶圆外周部，对具有第二预定厚度的晶圆，去除晶圆外周部分。本发明通过对晶圆进行单次研磨蚀刻，从而有效减少了晶圆薄化过程中所产生的内应力，减少了破片率，增加了成品率。

技术领域

本发明涉及一种晶圆薄化制备工艺，特别涉及一种利用研磨与蚀刻的技术手段进行晶圆薄化的制备工艺，属于半导体技术领域。

背景技术

现有的晶圆制备工艺不断朝着薄型化的趋势发展，但现有的薄型化制备工艺大多利用研磨方式将晶圆薄化，然而晶圆在薄型化的制备工艺中往往会面临着破片的问题或者产能较低的问题。

现有解决晶圆破片的方式，是在晶圆的下方放置一支撑架，当研磨晶圆时，位于晶圆下方的支撑架能够给予晶圆一定的支撑力，以预防晶圆破片。因为晶圆破片往往是在研磨或蚀刻过程中所产生的内应力造成的。

但上述支撑架所能达到降低破片的机率有限，使用支撑架的晶圆的破片率仍偏高。另外，支撑架的单价也较高，若大量使用于晶圆的制备工艺，对厂商而言，其无形中增加了制备成本。

发明内容

鉴于先有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种低破片率、低成本的晶圆薄化制备工艺。该制备工艺首先对晶圆进行研磨，再对晶圆进行蚀刻，以有效减少晶圆减薄过程中产生内应力，以及无须使用支撑架，减少破片机率，并增加成品率。

为达到上述目的，本发明的技术手段在于提供一种晶圆薄化制备工艺，其步骤如下：

一种晶圆薄化制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

S1研磨晶圆，研磨晶圆的一面至第一预定厚度；

S2蚀刻晶圆，蚀刻具有该第一预定厚度的晶圆的被研磨面至第二预定厚度；

S3去除晶圆外周部，对具有第二预定厚度的晶圆，去除晶圆外周部分。

所述的步骤S1研磨晶圆中，对该晶圆未贴附于膜体的一面的外周保留数毫米，而仅研磨该晶圆的中央部分或者将该晶圆黏置于一晶圆环，并对该晶圆未贴附于膜体的一面进行研磨。

所述的S1研磨晶圆的具体步骤包括：

S1A进料检验，对一即将进行研磨的晶圆进行检验程序；

S1B晶圆贴膜，将该即将进行研磨的晶圆贴附于一膜体；

S1C晶圆研磨，对该晶圆的未贴附有该膜体的一面进行研磨至该晶圆达到第一预定厚度，该晶圆的外周部保留数毫米未被研磨。

所述第二预定厚度的范围为10±4μm～700±4μm。

所述的步骤S2蚀刻晶圆中，蚀刻为湿式蚀刻。

所述的S2蚀刻晶圆的具体步骤包括：

S2A化学湿式蚀刻，使用蚀刻液对已研磨至该第一预定厚度的晶圆的一面进行湿式蚀刻，使该晶圆被蚀刻至该第二预定厚度，所述蚀刻液为本领域常见蚀刻液；

S2B第一次清洗晶圆，对该晶圆进行第一次清洗；

S2C第一次干燥，对该晶圆进行第一次离心脱水干燥。

S2D表面粗度蚀刻，对该晶圆再次进行如S2A的化学湿式蚀刻，使该晶圆的被蚀刻面的粗度增加；

S2E第二次清洗晶圆，对该晶圆进行第二次清洗；

S2F第二次干燥晶圆，对该晶圆进行第二次离心脱水干燥。

S2G酸洗晶圆，以酸液对该晶圆进行清洗；