[发明专利]一种晶圆薄化制备工艺

权利要求书

1.一种晶圆薄化制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

S1研磨晶圆，研磨晶圆的一面至第一预定厚度；其中，所述的S1研磨晶圆的步骤包括：

S1A进料检验，对一即将进行研磨的晶圆进行检验程序；

S1B晶圆贴膜，将该即将进行研磨的晶圆贴附于一膜体；

S1C晶圆研磨，对该晶圆的未贴附有该膜体的一面的外周保留数毫米而仅研磨该晶圆的中央部分，或者将该晶圆黏置于一晶圆环并对该晶圆未贴附于膜体的一面进行研磨，直至该晶圆达到第一预定厚度，该晶圆的外周部保留数毫米未被研磨；

S2蚀刻晶圆，蚀刻具有该第一预定厚度的晶圆的被研磨面至第二预定厚度；其中，所述的S2蚀刻晶圆的具体步骤包括：

S2A化学湿式蚀刻，使用蚀刻液对已研磨至该第一预定厚度的晶圆的一面进行湿式蚀刻，使该晶圆被蚀刻至该第二预定厚度；

S2B第一次清洗晶圆，对该晶圆进行第一次清洗；

S2C第一次干燥，对该晶圆进行第一次离心脱水干燥；

S2D表面粗度蚀刻，对该晶圆再次进行如S2A的化学湿式蚀刻，使该晶圆的被蚀刻面的粗度增加；

S2E第二次清洗晶圆，对该晶圆进行第二次清洗；

S2F第二次干燥晶圆，对该晶圆进行第二次离心脱水干燥；

S2G酸洗晶圆，以酸液对该晶圆进行清洗；

S2H第三次清洗晶圆，对该晶圆进行第三次清洗；

S2I第三次干燥晶圆，对该晶圆进行第三次离心脱水干燥；

其中，所述的酸液为氢氟酸；

所述的第一次清洗晶圆、第二次清洗晶圆与第三次清洗晶圆采用的是纯水清洗方式；

所述的第一次干燥晶圆、第二次干燥晶圆与第三次干燥晶圆采用的是离心脱水方式；

S3去除晶圆外周部，对具有第二预定厚度的晶圆，以雷射法去除晶圆外周部分，以及

将去除外周部的该晶圆作为晶圆制备工艺的薄型化晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆薄化制备工艺，其特征在于，所述第二预定厚度的范围为10±4μm～700±4μm。

3.如权利要求1所述的晶圆薄化制备工艺，其特征在于，所述的以离心脱水方式干燥，晶圆以一预定转速旋转，该预定转速为500～1500rpm。

4.如权利要求1所述的晶圆薄化制备工艺，其特征在于，所述的以离心脱水方式干燥，晶圆以一预定转速旋转，预定转速为550、600、650、700、750、800、850、900或950rpm。