[发明专利]超势垒二极管的制备方法和超势垒二极管

权利要求书

1.一种超势垒二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、P型多晶硅层和绝缘层；

在所述绝缘层上形成图形化掩膜层后，对所述绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；

以所述绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对所述P型多晶硅层和所述场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的所述外延层的指定区域；

在所述外延层的指定区域形成P型体区；

在所述P型体区的边缘形成P-型区域；

在所述P-型区域的内侧的外延层中，形成与所述P-型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述超势垒二极管的制作。

2.根据权利要求1所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成图形化掩膜层后，对所述绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构，包括以下具体步骤：

在所述绝缘层上形成图形化掩膜后，对所述绝缘层采用湿法腐蚀处理，和/或采用各向同性腐蚀气体对所述绝缘层进行干法腐蚀处理，以形成所述绝缘层掩膜结构。

3.根据权利要求1所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述外延层的指定区域形成P型体区，包括以下具体步骤：

采用第一离子注入工艺在所述外延层的指定区域形成所述P型体区。

4.根据权利要求3所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述P型体区的边缘形成P-型区域，包括以下具体步骤：

在经过刻蚀的场化层的边缘下方的外延层中，采用第二离子注入工艺形成所述P-型区域。

5.根据权利要求4所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的注入能量大于所述第二离子注入工艺的注入能 量。

6.根据权利要求4或5所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的注入剂量大于所述第二离子注入工艺的注入剂量。

7.根据权利要求1所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述P-型区域的内侧的外延层中，形成与所述P-型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述超势垒二极管的制作，包括以下具体步骤：

在形成所述P-型区域后，在所述N型衬底上形成N+型多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述P-型区域的内侧的外延层中，形成与所述P-型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述超势垒二极管的制作，还包括以下具体步骤：

对所述N+型多晶硅层进行各向异性刻蚀，以去除所述绝缘层掩膜结构上方和所述P型体区上方的N+型多晶硅层，以形成同时与所述P型多晶硅层、所述场氧化层和所述P型体区的边缘接触的N+型多晶硅侧墙；

对形成所述N+型多晶硅侧墙进行退火处理，以形成与所述P-型区域分离的所述N+型区域。

9.根据权利要求8所述的超势垒二极管的制备方法，其特征在于，在所述P-型区域的内侧的外延层中，形成与所述P-型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述超势垒二极管的制作，还包括以下具体步骤：

在形成所述N+型区域后，采用金属溅射工艺、电镀工艺和蒸镀工艺中的一种工艺或多种工艺的任意组合，在所述N型衬底上形成同时与所述绝缘层掩膜、所述P型多晶硅层、P型体区接触的金属层，所述金属层即为所述超势垒二极管的电极。

10.一种超势垒二极管，其特征在于，采用如权利要求书1至9中任一项所述的超势垒二极管的制备方法制作而成。