[发明专利]LED集成封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光器件及其封装方法，尤其涉及一种LED集成封装结构及其封装方法。

背景技术

发光二极管(LightEmitting Diode，LED)是一种半导体组件，其具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，被广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。在LED器件制造工艺过程中，LED封装是制造过程中最重要的环节，这一环节直接影响LED器件的发光效率。目前，LED封装最常用的为集成封装(COB)技术，COB技术中直接将LED光源贴在高反光率的镜面金属基板上，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序。相对于传统封装技术，COB技术有着价格低廉、节约空间以及工艺成熟等优点。然而，COB封装同样存在出光效率不高，出射光角度小，易形成光斑等缺点。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出的LED COB结构及其封装方法能够解决COB封装存在的光效低、出射角小等问题。

本发明提出的具体技术方案为：提供一种LED COB结构，包括基板、设置在所述基板上表面的封装胶槽、以及设置于所述封装胶槽上的微结构层；其中，所述封装胶槽上开设有包括多个固晶槽的固晶槽阵列，每一个所述固晶槽内分别设置有LED芯片，所述封装胶槽中还设置有电路板，所述电路板上开设有与所述固晶槽阵列对应的开口，所述LED芯片通过导线与所述电路板连接，所述封装胶槽还填充有封装胶层，用于对所述LED芯片、所述导线以及所述电路板进行封装。

进一步地，所述封装胶层包括对应覆盖于所述LED芯片、所述导线以及所述电路板表面的保护层以及覆盖于所述保护层上的荧光层。

进一步地，所述保护层的折射率大于1.5。

进一步地，所述荧光层的折射率为1.43～1.5。

进一步地，所述微结构层的上表面设置有纳米结构，所述纳米结构选自阵列设置的纳米柱体、纳米椎体或纳米半球体中任一种。

进一步地，所述微结构层的材质为聚二甲基硅氧烷，所述微结构层的折射率小于1.43。

本发明还提供一种如上所述LED COB结构的封装方法，所述方法包括以下步骤：

在所述封装胶槽内涂覆所述保护层，使得所述LED芯片、所述导线以及所述电路板被完全覆盖；

在固化后的保护层上涂覆所述荧光材料，使得所述荧光材料填满所述封装胶槽；

在所述荧光材料完全固化前将所述微结构层贴合在所述荧光材料表面，使所述荧光材料完全固化后形成所述荧光层，并使所述微结构层与所述荧光层相互粘合。

进一步地，所述保护层的折射率大于1.5。

进一步地，所述荧光层的折射率为1.43～1.5。

进一步地，所述微结构层的上表面设置有纳米结构，所述纳米结构选自阵列设置的纳米柱体、纳米椎体或纳米半球体任一种。

进一步地，所述微结构层的材质为聚二甲基硅氧烷，所述微结构层的折射率小于1.43。

本发明提出的LED COB结构及其封装方法，通过在COB荧光胶层上覆盖微结构层，微结构层上设置有纳米结构，能够提升LED COB结构的出光效率，而且保护层、荧光层以及微结构层的折射率从高到低，通过这样的设计可以进一步的提升整个LED COB结构的出光效率、增大出射角度。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1为本发明LED集成封装结构的结构图；

图2为本发明LED集成封装结构的封装方法流程图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。