[发明专利]减少外延衬底缺陷的形成方法

权利要求书

1.一种减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供原始外延衬底；

对所述初始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理；

对所述原始外延衬底进行抛光处理；

检测所述原始外延衬底表面形貌，并保存形貌数据；

对所述形貌数据进行分析，获得所述原始外延衬底不同区域的温度控制分布图和刻蚀时间；

通过分区红外线对所述原始外延衬底进行分区温度控制，并采用等离子干法刻蚀对原始外延衬底进行不同区域的刻蚀，使所述原始外延衬底表面更加平滑；

对所述原始外延衬底进行单面抛光，获得最终的外延衬底。

2.如权利要求1所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述等离子干法刻蚀采用的气体包括H₂、CF₄、C₂F₆、SF₆及Cl₂。

3.如权利要求2所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述分区红外线采用矩阵排列的红外激光二极管或红外LED对所述原始外延衬底进行分区温度控制。

4.如权利要求3所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述分区红外线的波长范围为700nm～1200nm。

5.如权利要求3所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，单个所述红外激光二极管或红外LED的功率范围为0～20W。

6.如权利要求3所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述红外激光二极管或红外LED直接接触所述原始外延衬底的背面。

7.如权利要求3所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述红外激光二极管或红外LED位于所述原始外延衬底的正面并保持预定间距。

8.如权利要求1所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述沉浸式缺陷去除处理为采用腐蚀溶液进行刻蚀的湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求8所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述腐蚀溶液包括氢氟酸、硝酸、磷酸及水，其中，HF:HNO₃:H₃PO₄:H₂O质量比为7％：30％：35％：38％。

10.如权利要求1所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述原始外延衬底的形成步骤包括：

提供单晶硅锭；

对所述单晶硅锭进行磨削滚圆处理；

在所述单晶硅锭上形成定位边或定位V槽；

对所述单晶硅锭进行切片、倒角处理；

分别进行双面研磨和单面研磨，获得所述原始外延衬底。

11.如权利要求1所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，最终形成的外延衬底表面形貌差异小于25nm。