[发明专利]伯努利基座装置及沉积设备在审
| 申请号： | 201610237813.1 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107301964A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 伯努利 基座 装置 沉积 设备 | ||
1.一种伯努利基座装置，其特征在于，包括：
基座，一端表面设有多个气孔，另一端设有中轴，所述气孔存在倾角，使喷出的气体朝向所述基座外侧扩散；
至少一管气体管路，设于所述中轴中，并贯穿所述基座，连接所述气孔，为所述气孔提供预定压力的气体。
2.如权利要求1所述的伯努利基座装置，其特征在于，所述气孔均匀分布在所述基座表面。
3.如权利要求2所述的伯努利基座装置，其特征在于，所述气孔分为内圈气孔和外圈气孔，所述内圈气孔靠近所述基座的中心区域，所述外圈气孔靠近所述基座的边缘区域。
4.如权利要求3所述的伯努利基座装置，其特征在于，所述气体管路为两条独立管路，分别为内圈气孔和外圈气孔提供气体。
5.如权利要求1所述的伯努利基座装置，其特征在于，所述气孔的倾角范围为10°～60°。
6.如权利要求1所述的伯努利基座装置，其特征在于，所述气体管路提供的气体为H2。
7.一种沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1所述的伯努利基座装置和反应腔室，所述伯努利基座装置安装在所述反应腔室内，晶圆通过伯努利原理吸附在所述伯努利基座装置的表面。
8.如权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述伯努利基座装置中的气孔均匀分布在基座表面。
9.如权利要求8所述的沉积设备，其特征在于，所述气孔分为内圈气孔和外圈气孔，所述内圈气孔靠近所述基座的中心区域，所述外圈气孔靠近所述基座的边缘区域。
10.如权利要求9所述的沉积设备，其特征在于，所述伯努利基座装置中 的气体管路为两条独立管路，分别为内圈气孔和外圈气孔提供气体。
11.如权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述气孔的倾角范围为10°～60°。
12.如权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述伯努利基座装置中的气体管路提供的气体为H2。
13.如权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述伯努利基座装置中多管气体管路提供的气体压力可调。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610237813.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：伯努利基座装置及沉积设备
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
