[发明专利]量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201610237200.8 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN105700222B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G03F7/20
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 点彩膜基板 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明涉及显示技术领域,提供一种量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置,在量子点彩膜基板的制作方法中,由于在后序针对不同区域采用半曝光技术,这样前面工序中通过依次涂覆绿光量子点薄膜、红光量子点薄膜这样一道黄光制程即最终实现彩膜制备,相比现有工艺省去了一道黄光制程,简化了制作工艺,节约了制作成本;而且,应用到显示装置中,蓝色背光经绿色子像素区域的绿光量子点薄膜层全部转换成绿光,蓝色背光经红色子像素区域的绿光量子点薄膜层转换成绿光,再经红光量子点薄膜层转换成红光,蓝色背光的利用率达到100%。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,更具体地说,是涉及一种量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在信息社会的当代,作为可视信息传输媒介的显示器,其重要性在逐步加强。为了在未来占据主导地位,显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

目前市面上的液晶电视的色域在68-72%NTSC之间,因而不能提供高质量的显示效果,因此提高液晶电视的色域成了行业内研究的重点。量子点材料是指粒径在1-100nm之间的无机半导体纳米晶粒,于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。由于其分立能级结构,光谱半波宽较窄,因此发射的光色纯度较高,能够明显提高显示面板的色域。且可以通过调整量子点尺寸的大小来调节发射光的波长,因此使用光致发光量子点来提高显示面板的显示效果成为各大显示器厂商的有效选择。但是目前量子点在显示面板上的应用技术不够成熟,制作工艺繁杂、成本高,有待改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置,旨在解决现有技术中显示装置中量子点彩膜基板制作工艺繁杂、成本高的问题。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:提供一种量子点彩膜基板的制作方法,包括以下步骤:

S1、预备基板,所述基板上具有间隔设置的红色子像素区域、绿色子像素区域以及蓝色子像素区域;

S2、于所述基板上沉积绿光量子点薄膜层,所述绿光量子点薄膜层覆盖整个所述基板;

S3、于所述绿光量子点薄膜层上沉积红光量子点薄膜层;

S4、于所述红光量子点薄膜层上沉积光阻薄膜层;

S5、对所述光阻薄膜层进行曝光,其中,与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域全部曝光,与相邻子像素区域之间间隔处对应的光阻薄膜区域全部曝光,与所述绿色子像素区域正对的光阻薄膜层区域半曝光,与所述红色子像素区域正对的光阻薄膜层区域不曝光;

S6、对S5步骤中曝光后的光阻薄膜层区域进行显影,图案化光阻薄膜层,将与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域去除,将与相邻子像素区域之间间隔处正对的光阻薄膜层区域去除,形成光阻掩膜层;

S7、利用S6步骤中形成的光阻掩膜层对量子点薄膜进行刻蚀,去除无光阻掩膜层保护的与蓝光子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层;去除无光阻掩膜层保护的与相邻子像素区域之间间隔处正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层;剥离与所述绿色子像素区域正对的光阻掩膜层,并去除与所述绿色子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层,最后剥离与所述红色子像素区域正对的区域处的光阻掩膜层,形成所述的量子点彩膜基板。

优选地,所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层均为无机量子点颗粒与固化胶体的混合薄膜。

优选地,所述无机量子点颗粒为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、Ⅳ-Ⅵ族纳米半导体材料中的一种或多种。

优选地,所述无机量子点颗粒的粒径1-10nm。

优选地,所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层的沉积厚度均为0.5—20μm。

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