[发明专利]量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、预备基板，所述基板上具有间隔设置的红色子像素区域、绿色子像素区域以及蓝色子像素区域；

S2、于所述基板上沉积绿光量子点薄膜层，所述绿光量子点薄膜层覆盖整个所述基板；

S3、于所述绿光量子点薄膜层上沉积红光量子点薄膜层；

S4、于所述红光量子点薄膜层上沉积光阻薄膜层；

S5、对所述光阻薄膜层进行曝光，其中，与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域全部曝光，与相邻子像素区域之间间隔处对应的光阻薄膜区域全部曝光，与所述绿色子像素区域正对的光阻薄膜层区域半曝光，与所述红色子像素区域正对的光阻薄膜层区域不曝光；

S6、对S5步骤中曝光后的光阻薄膜层区域进行显影，图案化光阻薄膜层，将与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域去除，将与相邻子像素区域之间间隔处正对的光阻薄膜层区域去除，形成光阻掩膜层；

S7、利用S6步骤中形成的光阻掩膜层对量子点薄膜进行刻蚀，去除无光阻掩膜层保护的与蓝光子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层；去除无光阻掩膜层保护的与相邻子像素区域之间间隔处正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层；剥离与所述绿色子像素区域正对的光阻掩膜层，并去除与所述绿色子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层，最后剥离与所述红色子像素区域正对的区域处的光阻掩膜层，形成所述的量子点彩膜基板。

2.如权利要求1所述的量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层均为无机量子点颗粒与固化胶体的混合薄膜。

3.如权利要求2所述的量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：所述无机量子点颗粒为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、Ⅳ-Ⅵ族纳米半导体材料中的一种或多种。

4.如权利要求2或3所述的量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：所述无机量子点颗粒的粒径1-10nm。

5.如权利要求1所述的量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层的沉积厚度均为0.5—20μm。

6.一种量子点彩膜基板，包括基板，所述基板上具有间隔设置的红色子像素区域、绿色子像素区域以及蓝色子像素区域，其特征在于：红色子像素区域、绿色子像素区域与蓝色子像素区域中的相邻两个子像素区域之间形成间隔区域，所述基板上对应所述红色子像素区域处由下至上依次覆盖有绿光量子点薄膜层及红光量子点薄膜层；所述基板上对应所述绿色子像素区域处覆盖有绿光量子点薄膜层；所述量子点彩膜基板采用如权利要求1至5任一项所述的量子点彩膜基板的制作方法制作而成。

7.如权利要求6所述的量子点彩膜基板，其特征在于：所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层均为无机量子点颗粒与固化胶体的混合薄膜。

8.如权利要求7所述的量子点彩膜基板，其特征在于：所述无机量子点颗粒为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、Ⅳ-Ⅵ族纳米半导体材料中的一种或多种，所述无机量子点颗粒的粒径为1-10nm。

9.如权利要求6至8中任一项所述的量子点彩膜基板，其特征在于：所述红光量子点薄膜层和所述绿光量子点薄膜层的厚度均为0.5—20μm。

10.显示装置，包括蓝光背光板，其特征在于：还包括如权利要求7至9中任一项所述的量子点彩膜基板。