[发明专利]一种高压二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种高压二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅衬底一侧形成氧化层，所述硅衬底表面形成氧化层的一侧为正面，另一侧为背面；

刻蚀所述氧化层，形成第一掩蔽窗口；

通过所述第一掩蔽窗口，在所述硅衬底内掺杂铝杂质，形成第一掺杂区；

在所述第一掺杂区的外围制备电场截止区；

去除所述硅衬底上的氧化层，并在所述硅衬底正面形成介质层；

刻蚀所述介质层，形成电极接触窗口，露出所述第一掺杂区；

在所述硅衬底正面一侧形成第一电极，以及在所述硅衬底背面一侧形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述氧化层，形成第一掩蔽窗口之时，还包括：

刻蚀所述氧化层，形成至少一个第二掩蔽窗口，所述第二掩蔽窗口围绕所述第一掩蔽窗口；

在通过所述第一掩蔽窗口，在所述硅衬底内掺杂铝杂质，形成第一掺杂区之时，还包括：

通过所述至少一个第二掩蔽窗口，在所述硅衬底内掺杂铝杂质，形成至少一个第二掺杂区；所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述电场截止区之间。

3.根据权利要求1或2所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，所述在所述硅衬底内掺杂铝杂质，包括：

通过铝注入或者铝蒸发热扩散的方式在所述硅衬底内掺杂铝杂质。

4.根据权利要求3所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，当通过铝注入的方式在所述硅衬底内掺杂铝杂质时，所述铝杂质的注入剂量为 1*10¹⁶/cm²-2*10¹⁶/cm²。

5.根据权利要求3所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，当通过铝蒸发热扩散的方式在所述硅衬底内掺杂铝杂质时，其中铝蒸发的温度为150℃-250℃，热扩散的温度为1050℃-1150℃。

6.根据权利要求1所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区的厚度为50μm-80μm。

7.根据权利要求1所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一掺杂区的外围制备电场截止区，包括：

刻蚀所述氧化层，形成第三掩蔽窗口，所述第三掩蔽窗口围绕所述第一掩蔽窗口；

通过所述第三掩蔽窗口，在所述硅衬底内掺杂N型杂质，形成电场截止区，所述电场截止区围绕所述第一掺杂区。

8.根据权利要求1所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，所述介质层包括二氧化硅、氮化硅以及掺氧多晶硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的高压二极管的制作方法，其特征在于，在所述硅衬底正面一侧形成第一电极之前，还包括：

在所述第一掺杂区远离所述硅衬底一侧形成P型杂质区，并进行退火激活处理。

10.一种高压二极管，其特征在于，所述高压二极管采用权利要求1-9任一所述的方法制得。