[发明专利]液晶显示器面板及其像素单元的制备方法

权利要求书

1.一种液晶显示器面板的像素单元的制备方法，所述液晶显示器面板，包括：

玻璃衬底；

多条石墨烯数据线，平行排列于该玻璃衬底上；

多条石墨烯栅极线，平行排列于该玻璃衬底上，该多条石墨烯栅极线与该多条石墨烯数据线相互垂直设置，以定义出多个像素区，每个像素区中设有像素单元，该像素单元包括：

晶体管，形成于该玻璃衬底上，该晶体管包括栅极电极、源极电极及漏极电极，该栅极电极电性连接于该多条石墨烯栅极线的其中一条，该源极电极电性连接于该多条石墨烯数据线中的其中一条；

显示电极，形成于该玻璃衬底上，该显示电极电性连接于该漏极电极；及

电容电极，形成于该玻璃衬底上，该电容电极电性连接于该显示电极；

其中，该电容电极与该玻璃衬底之间具有该多条石墨烯栅极线的其中一条的一部分、该多条石墨烯数据线中的其中一条的一部分与第一介电层，以形成石墨烯电容；

其中，该晶体管还包括第二介电层，该第二介电层形成于该栅极电极与该玻璃衬底之间，该源极电极与该漏极电极分别设置于该第二介电层的相对两侧，以形成石墨烯穿隧式通道；

所述制备方法包括：

提供玻璃衬底；

在该玻璃衬底上形成p型掺杂石墨烯层，该p型掺杂石墨烯层具有暴露该玻璃衬底的第一开口，该第一开口将该p型掺杂石墨烯层分割为第一区域和第二区域；

形成第一介电层，该第一介电层具有覆盖该第一区域的第三区域与覆盖部分的暴露于该第一开口的该玻璃衬底的第四区域，以形成暴露该玻璃衬底的第二开口及暴露该p型掺杂石墨烯层的第三开口；

形成n型掺杂石墨烯层，该n型掺杂石墨烯层具有覆盖该第三区域的第五区域、覆盖该第四区域的第六区域、覆盖暴露于该第二开口的该玻璃衬底的第七区域和覆盖该第三开口的一部分的第八区域，以形成暴露该p型掺杂石墨烯层的第四开口；

在该第八区域上形成第二介电层；及

形成电极层，该电极层包括电容电极、漏极电极、栅极电极与源极电极，该电容电极形成于该第五区域的一部分上，该漏极电极形成于该第六区域的一部分与该第七区域的一部分上，该栅极电极形成于该第二介电层的一部分上，该源极电极形成于暴露于该第四开口的该p型掺杂石墨烯层的一部分上。

2.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，该第一介电层的材料为二氧化硅、氟氧化硅、氮氧化硅的一种或组合。

3.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，该第二介电层的材料为高介电常数材料。

4.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，该第二介电层的材料包括二氧化钛、二氧化铪、二氧化锆的一种或组合。

5.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，该电极层的材料为铬、金、镍、钨、钛、氮化钛的一种或组合。

6.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，在该玻璃衬底上形成p型掺杂石墨烯层的步骤包括：通过第一道光刻蚀刻程序形成该第一开口。

7.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成该第一介电层的步骤包括：通过第二道光刻蚀刻程序形成该第二开口与该第三开口。

8.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成该n型掺杂石墨烯层的步骤包括：通过第三道光刻蚀刻程序形成该第四开口。

9.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成该第二介电层的步骤包括：通过第四道光刻蚀刻程序形成该第二介电层。

10.如权利要求1所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成该电极层的步骤包括：通过第五道光刻蚀刻程序形成该电容电极、该漏极电极、该栅极电极与该源极电极。