[发明专利]镉基铁磁半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种镉基铁磁半导体材料，其特征在于，所述镉基铁磁半导体材料的化学式为(Sr_1-xNa_x)(Cd_1-yMn_y)₂As₂，其中x和y表示原子含量，0.03≤x≤0.25，0.03≤y≤0.25。

2.根据权利要求1所述的镉基铁磁半导体材料，其特征在于，0.1≤x≤0.25，且0.1≤y≤0.25。

3.根据权利要求2所述的镉基铁磁半导体材料，其特征在于，0.125≤x≤0.2，且0.125≤y≤0.2。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的镉基铁磁半导体材料，其特征在于，所述镉基铁磁半导体材料的晶体结构是六方晶系结构。

5.一种镉基铁磁半导体材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

1)称取反应物并混合均匀，所述反应物中Sr：Na：Cd：Mn：As的原子含量比为(1-x):x:2(1-y):2y:2，其中0.03≤x≤0.25，0.03≤y≤0.25；

2)将混合均匀的反应物进行固相反应。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：

3)将所述步骤2)生成的块体材料研碎；

4)将所述步骤3)得到的粉末进行固相反应。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述固相反应的温度为700-1000℃。

8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述固相反应的压强为一个大气压，时间为5-30小时。

9.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述固相反应的压强为1-20GPa，时间为0.5-2小时。

10.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，0.1≤x≤0.25，且0.1≤y≤0.25。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，0.125≤x≤0.2，且0.125≤y≤0.2。

12.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述反应物为粉末状的SrAs、Cd、As、Mn和Na₃As。