[发明专利]一种多晶硅制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，将所述衬底放入反应腔体中，通入过量的SiH₄作为工艺气 体，在所述衬底上沉积形成多晶硅；其中，在沉积过程中，还通入少量的N₂O 作为掺杂气体，利用N₂O与过量部分的SiH₄反应生成的SiO₂，对多晶硅进行 掺杂，以抑制多晶硅晶粒的异常生长。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制备方法，其特征在于，多晶硅沉积 过程包括以下阶段：

预沉积阶段：其为SiH₄通入初期时的多晶硅形核阶段；

沉积阶段：其为多晶硅形核后的生长阶段；

其中，在沉积阶段通入N₂O气体。

3.根据权利要求2所述的多晶硅制备方法，其特征在于，在预沉积阶 段和沉积阶段都通入N₂O气体。

4.根据权利要求1所述的多晶硅制备方法，其特征在于，所述反应腔 体采用炉管，并在炉管内采用低压化学气相沉积工艺沉积形成多晶硅。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制备方法，其特征在于，沉积温度为 500-650℃，压力为0.2-1Torr。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的多晶硅制备方法，其特征在于， SiH₄的通入流量为100-2000sccm。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的多晶硅制备方法，其特征在于， N₂O的含量为反应腔体中气体总量的1％以下。

8.根据权利要求7所述的多晶硅制备方法，其特征在于，N₂O的含量为 0.1-0.5％。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的多晶硅制备方法，其特征在于， 在通入SiH₄之前，先通入N₂进行清扫。

10.根据权利要求9所述的多晶硅制备方法，其特征在于，N₂的通入流 量为10-20slm。