[发明专利]线栅偏振器件及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种线栅偏振器件及其制作方法、显示装置，该线栅偏振器件包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的碳纳米管线栅和金属线栅，所述金属线栅与所述碳纳米管线栅层叠设置，所述碳纳米管线栅包括多个轴向方向相同的碳纳米管。本发明提供的线栅偏振器件，包括层叠设置的碳纳米管线栅和金属线栅，在制作该线栅偏振器件时，可以避免高膜厚金属的等离子体干刻工艺，从而降低了制作工艺难度，增强了工艺稳定性和线栅偏振器的化学稳定性。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种线栅偏振器件及其制作方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成，在阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。此外，在彩膜基板的上表面设置有第一偏振片，在阵列基板和背光模组之间设置有第二偏振片。现有技术中，上述偏振片(第一偏振片和第二偏振片)可以采用聚乙烯醇(PVA)薄膜构成。会将自然光中的一个偏振分量透过，而另外一个偏振分量被偏振片吸收。这样一来，将造成光线的大量损失，使得光线的利用率大大降低。

为了解决上述问题，现有技术中还提供了一种由金属材料构成的线栅偏振片，然而，现有的金属线栅偏振器件通常采用等离子体干刻高膜厚金属制作而成，其工艺难度高，耗时耗能，且干刻工艺气体会污染金属线栅，导致金属线栅易被腐蚀。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种线栅偏振器件及其制作方法、显示装置，能够降低制作工艺难度。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种线栅偏振器件，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的碳纳米管线栅和金属线栅，所述金属线栅与所述碳纳米管线栅层叠设置，所述碳纳米管线栅包括多个轴向方向相同的碳纳米管。

优选地，所述碳纳米管线栅、所述金属线栅依次设置在所述衬底基板的同一侧。

优选地，所述碳纳米管线栅的厚度为50纳米～300纳米，所述金属线栅的厚度为50纳米～200纳米。

优选地，所述多个轴向方向相同的碳纳米管的轴向方向与所述金属线栅的延伸方向一致。

优选地，所述碳纳米管线栅的材料包括沿同一方向高度取向的碳纳米管膜。

优选地，所述沿同一方向高度取向的碳纳米管膜包括超顺排碳纳米管膜。

优选地，所述金属线栅的材料包括以下的至少一种：铝、银、金、铜、钨。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的线栅偏振器件。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种线栅偏振器件的制作方法，包括：在衬底基板上形成碳纳米管线栅和金属线栅，所述金属线栅与所述碳纳米管线栅层叠设置，所述碳纳米管线栅包括多个轴向方向相同的碳纳米管。

优选地，所述在衬底基板上形成碳纳米管线栅和金属线栅包括：

在所述衬底基板上形成所述碳纳米管线栅；

在所述碳纳米管线栅上形成所述金属线栅。

优选地，在所述衬底基板上形成所述碳纳米管线栅包括：

在所述衬底基板上形成碳纳米管薄膜；

对所述碳纳米管薄膜进行图案化处理，形成所述碳纳米管线栅。