[发明专利]化合物半导体元件的栅极金属改良结构

权利要求书

1.一种化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，包括：

化合物半导体基板；

肖特基能障层，形成于所述化合物半导体基板之上；

绝缘层，形成于所述肖特基能障层之上，所述绝缘层具有栅极凹槽，其中所述栅极凹槽的四周为所述绝缘层，所述栅极凹槽的底部为所述肖特基能障层；以及

栅极金属，包括接触层、第一扩散阻碍层、第二扩散阻碍层以及传导层，其中所述接触层形成于所述栅极凹槽的四周、所述栅极凹槽的底部以及所述绝缘层之上，且所述接触层于所述栅极凹槽的底部与所述肖特基能障层相接触，所述第一扩散阻碍层形成于所述接触层之上，所述第二扩散阻碍层形成于所述第一扩散阻碍层之上，所述传导层形成于所述第二扩散阻碍层之上，藉此增强化合物半导体元件的可靠度。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述第二扩散阻碍层的材料为铂。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述第二扩散阻碍层的材料包括选自以下群组的至少一个：铑、钽、铪、锆以及铌。

4.根据权利要求2或3所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述第二扩散阻碍层的材料为非氧化态。

5.根据权利要求1-3所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述第二扩散阻碍层的厚度大于或等于且小于或等于

6.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述第一扩散阻碍层的材料为钯。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述第一扩散阻碍层的厚度大于或等于且小于或等于

8.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述接触层的材料为镍。

9.根据权利要求8所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述接触层的厚度大于或等于且小于或等于

10.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述传导层的材料为金。

11.根据权利要求10所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述传导层的厚度大于或等于且小于或等于

12.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述绝缘层的材料为氮化硅。

13.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述基板的材料包括选自以下群组的一个：砷化镓、蓝宝石、磷化铟、磷化镓、碳化硅以及氮化镓。

14.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，还包括保护层，形成于所述栅极金属的所述传导层之上。

15.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述保护层的材料为钛。

16.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，所述肖特基能障层包括氮化镓次层以及氮化铝镓次层，所述氮化镓次层形成于所述化合物半导体基板之上，所述氮化铝镓次层形成于所述氮化镓次层之上。

17.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，构成所述接触层的材料为镍；构成所述第一扩散阻碍层的材料为钯；构成所述第二扩散阻碍层的材料包括选自以下群组的至少一个：铂、铑、钽、铪、锆以及铌；构成所述传导层的材料为金。