[发明专利]三维集成电路芯片及其电源噪声滤波方法

权利要求书

1.一种三维集成电路芯片的电源噪声滤波方法，其特征在于，包括：

提供系统集成芯片，所述系统集成芯片包括电源网络；

提供动态随机存储器芯片，所述动态随机存储器芯片包括电容单元；

将所述系统集成芯片的所述电源网络的中间区域与所述动态随机存储器芯片的所述电容单元连通，所述电容单元作为去耦单元滤除所述电源网络上的电源噪声。

2.如权利要求1所述的三维集成电路芯片的电源噪声滤波方法，其特征在于，所述动态随机存储器芯片的所述电容单元的电容值为所述系统集成芯片上相同面积电容单元的电容值的100-1000倍。

3.如权利要求1所述的三维集成电路芯片的电源噪声滤波方法，其特征在于，所述系统集成芯片的所述电源网络与所述动态随机存储器芯片的所述电容单元通过硅通孔或微凸块连通。

4.如权利要求1所述的三维集成电路芯片的电源噪声滤波方法，其特征在于，提供多层系统集成芯片和/或多层动态随机存储器芯片，将其中一层系统集成芯片的所述电源网络与其中一层动态随机存储器芯片的所述电容单元连通。

5.如权利要求1所述的三维集成电路芯片的电源噪声滤波方法，其特征在于，所述系统集成芯片的所述电源网络通过位于边缘区域的焊盘与外部电源连通。

6.一种三维集成电路芯片，其特征在于，包括：

系统集成芯片，所述系统集成芯片包括电源网络；

动态随机存储器芯片，所述动态随机存储器芯片包括电容单元；

所述系统集成芯片的所述电源网络的中间区域与所述动态随机存储器芯片的所述电容单元连通，所述电容单元作为去耦单元用于滤除所述电源网络上的电源噪声。

7.如权利要求6所述的三维集成电路芯片，其特征在于，所述动态随机存储器芯片的所述电容单元的电容值为所述系统集成芯片上相同面积电容单元的电容值的100-1000倍。

8.如权利要求6所述的三维集成电路芯片，其特征在于，所述系统集成芯片的所述电源网络与所述动态随机存储器芯片的所述电容单元通过硅通孔或微凸块连通。

9.如权利要求6所述的三维集成电路芯片，其特征在于，包括多层系统集成芯片和/或多层动态随机存储器芯片，其中一层系统集成芯片的所述电源网络与其中一层动态随机存储器芯片的所述电容单元连通。

10.如权利要求6所述的三维集成电路芯片，其特征在于，所述系统集成芯片的所述电源网络通过位于边缘区域的焊盘与外部电源连通。