[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域之间具有预设距离；

位于所述基底中的阱区，所述阱区覆盖所述第一区域、第二区域以及所述第一区域和第二区域之间的区域；

位于所述第一区域基底上的第一鳍部以及位于所述第二区域基底上的第二鳍部，所述第一鳍部中具有第一类型掺杂离子，所述第二鳍部中具有第二类型掺杂离子；

覆盖第一区域和第二区域之间阱区、第一鳍部以及第二鳍部的介质层；

形成于所述介质层中的支撑栅结构，所述支撑栅结构包括横跨所述第一鳍部的第一支撑栅，所述第一支撑栅覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面，以及横跨所述第二鳍部的第二支撑栅，所述第二支撑栅覆盖所述第二鳍部的部分侧壁和顶部表面；

形成于所述介质层中的导电结构，所述导电结构包括：与所述第一鳍部相连的第一导电结构，用于与第一偏压电连接；与所述第二鳍部相连的第二导电结构，用与第二偏压电连接，所述第二偏压与所述第一偏压不相同；

所述第一区域用于形成浅沟槽隔离结构二极管的阳极，所述第二区域用于形成所述浅沟槽隔离结构二极管的阴极；所述第二区域包围所述第一区域，所述第一区域位于所述第二区域的中心。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，

所述第一导电结构横跨所述第一鳍部，且所述第一导电结构覆盖所述第一鳍部侧壁和顶部的部分表面；

所述第二导电结构横跨所述第二鳍部，且所述第二导电结构覆盖所述第二鳍部侧壁和顶部的部分表面。

3.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一导电结构与所述第一支撑栅平行设置；所述第二导电结构与所述第二支撑栅平行设置。

4.如权利要求3所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一导电结构和第二导电结构的数量为多个，所述第一支撑栅和第二支撑栅的数量为多个；所述第一导电结构和所述第一支撑栅交替排布，所述第二导电结构和所述第二支撑栅交替排布。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，第一支撑栅与所述第一偏压电连接；第二支撑栅与所述第二偏压电连接。

6.如权利要求5所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述静电放电保护结构还包括：

位于所述介质层上且与所述第一支撑栅和第一导电结构相接触的第一导电层，用于接收所述第一偏压；

位于所述介质层上且与所述第二支撑栅和第二导电结构相接触的第二导电层，用于接收所述第二偏压。

7.如权利要求6所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层为条形；

第一支撑栅和第一导电结构平行设置，所述第一导电层与第一支撑栅以及所述第一导电结构垂直设置；

第二支撑栅和第二导电结构平行设置，所述第二导电层与第二支撑栅以及所述第二导电结构垂直设置。

8.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一区域为方形区域，所述第二区域为方环形区域。

9.如权利要求1或8所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一区域和第二区域之间预设距离在0.2μm到1μm范围内。

10.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述支撑栅结构为伪栅，所述支撑栅结构的材料包括多晶硅；或者所述支撑栅结构为多晶硅栅极或金属栅极。

11.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述静电放电保护结构还包括：

位于第一支撑栅两侧第一鳍部内的第一外延层，所述第一外延层内具有第一类型掺杂离子；

位于第二支撑栅两侧第二鳍部内的第二外延层，所述第二外延层内具有第二类型掺杂离子；

所述第一导电结构通过所述第一外延层与所述第一鳍部相连；

所述第二导电结构通过所述第二外延层与所述第二鳍部相连。