[发明专利]一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器封装结构的技术领域，具体是涉及一种TFT 液晶显示模组及其封装结构和封装方法。

背景技术

氧化物半导体(如IGZO，indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化 物的缩写)，等等)TFT存在的问题，如图1所示，图1为现有技术中 一种TFT封装结构的示意图。

氧化物半导体TFT，容易吸收环境中的水汽，造成TFT性能变异。 常使用保护层3来隔绝水汽555，保护层3可以是无机材料，或有机材 料。但水汽会吸附在保护层3表面，极有可能穿透保护层3，侵入到TFT 结构单元2处，进而影响到TFT的性能。其中，图中标注1为玻璃基板。

发明内容

本发明实施例提供一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方 法，以解决现有技术中TFT封装结构容易使环境中的水汽侵入，进而影 响TFT性能的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种具有疏水层的TFT封装 结构，所述封装结构包括盖设于TFT表面的第一保护层，设于所述第一 保护层外的第二保护层，以及设于所述第二保护层外的疏水层。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层为一层或者多层结构。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层的材质为有机光阻材料。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层利用有机光阻材料经过等离 子处理之后形成。

根据本发明一优选实施例，所述第一保护层和所述第二保护层的材 质为绝缘材料。

为解决上述技术问题，本发明还一种具有疏水层的TFT封装方法， 所述封装方法包括：

在TFT表面形成第一保护层；

在所述第一保护层的外表面形成第二保护层；

在所述第二保护层的外表面形成疏水层。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层为一层或者多层结构。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层的材质为有机光阻材料。

根据本发明一优选实施例，所述疏水层利用有机光阻材料经过等离 子处理之后形成。

进一步地，本发明提供一种TFT液晶显示模组，所述TFT液晶显 示模组中的TFT结构单元利用上述实施例中所述的封装方法封装而成。

相对于现有技术，本发明提供的TFT液晶显示模组及其封装结构和 封装方法，通过在TFT保护层外表面上制作有疏水层，由于疏水层不吸 附水汽，具有阻隔水汽侵入的作用，从而达到保护TFT性能稳定的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描 述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出 创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中一种TFT封装结构示意图；

图2是本发明具有疏水层的TFT封装结构一优选实施例的结构示意 图；

图3是本发明具有疏水层的TFT封装方法一优选实施例的流程示意 图；

图4是图3实施例TFT封装方法中制作第一、第二保护层的结构示 意图；以及

图5是图3实施例TFT封装方法中制作疏水层的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细描述。特别指 出的是，以下实施例仅用于说明本发明，但不对本发明的范围进行限 定。同样的，以下实施例仅为本发明的部分实施例而非全部实施例， 本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它 实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图2，图2是本发明具有疏水层的TFT封装结构一优选实施 例的结构示意图；其中，该封装结构包括但不限于以下结构单元：基板 100、TFT结构单元200、第一保护层300、第二保护层400以及疏水层 500。

具体而言，该TFT结构单元200设在基板100上，其中，TFT结构 单元200进一步包括栅极210、半导体层220、源极230、漏极240以及 金属氧化物层250等，关于TFT结构单元200的详细结构特征，在本领 域技术人员能够理解的范围之内，此处不再赘述。